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本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法，所述制造方法包括：1)提供第一基板，所述第一基板的第一主面上形成有用于容纳微电子器件的空腔；2)提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，于所述第二基板上形成膜...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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