一种晶圆表面聚合膜质去除方法及测试晶圆再生方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆表面聚合膜质去除方法及测试晶圆再生方法，通过气体对晶圆上生成的聚合膜质进行去除；其中，所述气体在去除聚合膜质的同时不破坏氧化膜质。本发明专利技术提出的方案能够避免采用化学液体去除膜质产生大量有害废水的情况产生；能够简化测试晶圆再生过程，省去再次进行氧化工艺过程；并且不需要采用膜质开封用的设备。用膜质开封用的设备。用膜质开封用的设备。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆表面聚合膜质去除方法及测试晶圆再生方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆表面聚合膜质去除方法及测试晶圆再生方法。

技术介绍

[0002]进行半导体聚合工艺时，用于通常会在监控晶圆、加工晶圆旁边增设测试晶圆，通过测试晶圆对聚合工艺的加工结果进行测试。实际过程中，测试晶圆被一起加载到设备中进行工艺过程。
[0003]测试晶圆在测试工艺加工结果后，会对其表面的聚合膜质进行去除后，重新使用。其中，聚合膜质是在聚合工艺中，生成于晶圆表面的聚合膜质。
[0004]目前的聚合膜质通过采用化学液体用品进行膜质开封的方式去除，但是该方法会将测试晶圆表面的氧化膜质同时去除，而测试晶圆在测试时，表面需要存在一层氧化膜质。因此，采用化学液体方法去除聚合膜质后的测试晶圆，需要再进行一次氧化工艺才能形成测试晶圆，其处理工程较为繁琐。并且，采用化学液体去除的方式会产生大量有害废水，容易造成污染。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的问题，提供了一种晶圆表面聚合膜质去除方法及测试晶圆再生方法，通过气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面聚合膜质去除方法，其特征在于，通过气体对晶圆上生成的聚合膜质进行去除；其中，所述气体在去除聚合膜质的同时不破坏氧化膜质。2.根据权利要求1所述的晶圆表面聚合膜质去除方法，其特征在于，采用ClF3去除聚合膜质。3.根据权利要求1所述的晶圆表面聚合膜质去除方法，其特征在于，采用F2去除聚合膜质。4.根据权利要求1
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3任一项所述的晶圆表面聚合膜质去除方法，其特征在于，在炉类设备进行聚合膜质去除。5.根据权利要求4任一项所述的晶圆表面聚合膜质去除方法，其特征在于，在炉类设备上安装洗涤器，用于排除去除聚合膜质后的气体。6.一种聚合工艺测试晶圆再生方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供无图案硅晶圆；步骤2、在硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：安重镒，李相遇，李东根，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：