基板处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了将用于剥离基板上的涂膜的剥离液同时提供到基板的整个表面以处理基板的基板处理装置及方法。所述基板处理方法包括以下步骤：利用第一喷嘴向基板上喷出第一液体，并且利用第一液体形成捕集有微粒的涂膜；利用第二喷嘴向基板上喷射第二液体，并且利用第二液体从基板剥离涂膜；以及利用第三喷嘴向基板上喷出第三液体，并且利用第三液体从基板上去除涂膜，其中，在剥离的步骤中，向基板的整个表面同时喷射第二液体。个表面同时喷射第二液体。个表面同时喷射第二液体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置及方法。更详细地，涉及对基板进行清洗处理的装置及方法。

技术介绍

[0002]半导体元件制造工艺可以在半导体元件制造设备中连续地执行，并且可以分为前工艺和后工艺。半导体制造设备可以设置在定义为FAB(Fabrication Plant，制造工厂)的空间，以制造半导体元件。
[0003]前工艺是指在晶片(Wafer)上形成电路图案以完成芯片(Chip)的工艺。前工艺可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺(Deposition Process)、利用光掩模(Photo Mask)将光刻胶(Photo Resist)转印到薄膜上的曝光工艺(Photo Lithography Process)、利用化学物质或反应性气体来选择性地去除不需要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺(Etching Process)、去除蚀刻后残留的光刻胶的灰化工艺(Ashing Process)、向与电路图案连接的部分注入离子以使其具有电子元件特性的离子注入工艺(Ion Implantation Proce本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括以下步骤：利用第一喷嘴向基板上喷出第一液体，并且利用所述第一液体形成捕集有微粒的涂膜；利用第二喷嘴向所述基板上喷射第二液体，并且利用所述第二液体从所述基板剥离所述涂膜；以及利用第三喷嘴向所述基板上喷出第三液体，并且利用所述第三液体从所述基板上去除所述涂膜，其中，在所述剥离的步骤中，向所述基板的整个表面同时喷射所述第二液体。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述剥离的步骤中，以气溶胶的形态喷射所述第二液体。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述剥离的步骤中，利用压缩空气喷射所述第二液体。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述第二液体的移动方向通过所述压缩空气而改变。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第二液体是去离子水。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第二喷嘴的高度根据所述基板的大小来调节。7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第二喷嘴在旋转的同时向所述基板上喷射所述第二液体。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述第二喷嘴相对于与所述基板的长度方向垂直的方向倾斜。9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一液体是聚合物和挥发性成分混合的液体。10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第三液体包括异丙醇。11.一种基板处理方法，包括以下步骤：利用第一喷嘴向基板上喷出第一液体，并且利用所述第一液体形成捕集有微粒的涂膜；利用第二喷嘴向所述基板上喷射第二液体，并且利用所述第二液体从所述基板剥离所述涂膜；以及利用第三喷嘴向所述基板上喷出第三液体，并且利用所述第三液体从所述基板上去除所述涂膜，其中，在所述剥离的步骤中，利用压缩空气改变所述第二液体的移动方向，并且以气溶胶的形态向所述基板的整个表面同时喷射所述第二液体。12.一种基板处理装置，包括：基板支承模块，包括旋转头，基板安置在所述旋转头的上表面上，并且所述基板支承模块用于运行所述旋转头以使所述基板旋转；处理液回收模块，设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炅珉，金兑根，金康卨，赵旼熙，姜元荣，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：