用于选择性蚀刻氮化硅膜的组合物和方法技术

本发明专利技术提供用于蚀刻微电子装置表面的湿式蚀刻组合物和方法，所述表面含有氮化硅(SiN)、氧化硅和多晶硅，所述多晶硅在一个实施例中与包含比硅在电化学上更惰性的化合物的表面接触，和任选的其它材料，其可包括适用于微电子装置的导电材料、半导电材料或绝缘材料，或适用于制备微电子装置的加工材料。或适用于制备微电子装置的加工材料。或适用于制备微电子装置的加工材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于选择性蚀刻氮化硅膜的组合物和方法


[0001]本专利技术大体上涉及用于在二氧化硅和多晶硅存在下选择性地蚀刻氮化硅膜的组合物和方法。

技术介绍

[0002]在微电子行业中，对经改良装置性能且对经减小装置大小和经减小装置特征大小存在持续需求。减小特征大小提供增加装置特征密度和增加装置速度的双重优点。
[0003]减小特征和装置大小需要寻找新方式来改良制造微电子装置的多步骤方法的步骤。在用于制备许多类型微电子装置的方法中，移除氮化硅的步骤为常见的。通常通过化学气相沉积从硅烷(SiH4)和氨(NH3)沉积的氮化硅(Si3N4)的薄层在微电子装置中可适用作水和钠的屏障。同样，图案化氮化硅层用作空间选择性氧化硅生长的掩模。在应用之后，可需要移除这些氮化硅材料的全部或一部分，其通常通过蚀刻来进行。
[0004]通过蚀刻自衬底移除氮化硅有利地以不损害或破坏微电子装置的其它暴露或覆盖特征的方式进行。通常，移除氮化硅的方法以相对于还存在于微电子装置衬底表面处的其它材料(诸如氧化硅)优先移除氮化硅的方式进行。根据各种商业方法，通过湿式蚀刻方法从微本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在微电子装置衬底上蚀刻氮化硅的方法，所述衬底含有包含氮化硅的表面、包含氧化硅的表面和包含多晶硅的表面，所述方法包含：提供蚀刻组合物，所述组合物包含：a.浓磷酸，其量以所述组合物的总重量计为至少60重量％；b.多晶硅腐蚀抑制剂化合物；c.氨基烷基硅烷醇；和d.任选的氟化合物；提供具有包含氮化硅的表面和包含多晶硅的表面的衬底，和使所述衬底与所述组合物在有效蚀刻氮化硅的条件下接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中包含多晶硅的所述表面与包含比硅在电化学上更惰性的组合物的表面接触。3.根据权利要求2所述的方法，其中包含比硅更惰性的组合物的所述表面选自硅化钨、硅化镍、硅化铂和硅化钛。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟化合物存在且选自HF、氟化铵、四氟硼酸、六氟硅酸、四氟硼酸四丁基铵、四(C1‑
C6烷基)铵氟化物和其组合。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟化合物为氟表面活性剂。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述氟化合物为HF。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述氨基烷基硅烷醇选自3
‑
氨基丙基硅烷三醇、N
‑
(6
‑
氨己基)氨基丙基硅烷醇、3
‑
氨基丙基三乙醇盐和3
‑
氨基丙基三甲醇盐和(3
‑
三甲氧基硅烷基丙基)二亚乙基三胺。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述氨基烷基硅烷醇由氨基烷氧基硅烷原位形成。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅腐蚀抑制剂选自直链和分支链C8‑
C
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烷基苯磺酸。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅腐蚀抑制剂选自C6‑
C
16
烷基二苯基氧化物二磺酸、C6‑
C
16
烷基二苯基硫化物二磺酸和C6‑
C
16
烷基二苯胺二磺酸。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅腐蚀抑制剂选自己基二苯基氧化物二磺酸、十二烷基二苯基氧化物二磺酸和十二烷基苯磺酸。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底与所述组合物在约130℃至约180℃的温度下接触。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合物包...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：