基板处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够在不损伤工艺腔室的情况下稳定地执行原子层蚀刻的基板处理方法。所述基板处理方法包括以下步骤：向腔室内提供包括目标层的基板；利用包括氯的第一气体在所述腔室内形成第一等离子体，以对所述目标层执行第一改质；利用包括氧的第二气体在所述腔室内形成第二等离子体，以对经第一改质的所述目标层执行第二改质；向所述腔室内提供前驱体，以使经第二改质的所述目标层与所述前驱体反应；以及重复执行形成所述第一等离子体、形成所述第二等离子体和提供所述前驱体，以去除所述目标层的至少一部分。层的至少一部分。层的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置及方法。

技术介绍

[0002]在制造半导体装置时，执行蚀刻、光刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、清洗等各种工艺。
[0003]这里，在蚀刻工艺当中，原子层蚀刻(Atomic Layer Etching；ALE)是一种能够在使电、物理损伤最小化的同时以原子水平调节目标层的蚀刻深度的技术。原子层蚀刻被评价为制造纳米级电子电路所必需的技术。

技术实现思路

[0004]另一方面，当对铝氧化物(Al2O3)执行原子层蚀刻时，一般使用基于氟基源(例如，NbF5)的等离子体。然而，氟基源会腐蚀工艺腔室的内壁/部分(part)，或者被吸收到内壁/部分从而不易被清洁。
[0005]本专利技术要解决的技术问题是提供能够在不损伤工艺腔室的情况下稳定地执行原子层蚀刻的基板处理方法。
[0006]本专利技术要解决的另一技术问题是提供能够在不损伤工艺腔室的情况下稳定地执行原子层蚀刻的基板处理装置。
[0007]本专利技术的技术问题不限于上述技术问题，本领域的技术人员可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括以下步骤：向腔室内提供包括目标层的基板；利用包括氯的第一气体在所述腔室内形成第一等离子体，以对所述目标层执行第一改质；利用包括氧的第二气体在所述腔室内形成第二等离子体，以对经第一改质的所述目标层执行第二改质；向所述腔室内提供前驱体，以使经第二改质的所述目标层与所述前驱体反应；以及重复执行形成所述第一等离子体、形成所述第二等离子体和提供所述前驱体，以去除所述目标层的至少一部分。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在形成所述第一等离子体期间，将所述基板控制在第一温度，在形成所述第二等离子体期间，将所述基板控制在第二温度，以及在提供所述前驱体期间，将所述基板控制在第三温度。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述第一温度与所述第二温度彼此相同。4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述第三温度高于所述第一温度和所述第二温度。5.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述第三温度为50℃以上且400℃以下。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述前驱体包括二酮类气体。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述前驱体是选自包括六氟乙酰丙酮、乙酰丙酮和二甲基乙酰胺的组中的至少一种。8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一气体是选自包括Cl2、HCl、SiCl4、CCl4和BCl3的组中的至少一种。9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第二气体是选自包括O2、H2O、N2O和O3的组中的至少一种。10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，形成所述第一等离子体、形成所述第二等离子体和提供所述前驱体在能够同时执行等离子体处理和热处理的双工艺腔室中执行。11.一种基板处理方法，包括以下步骤：向腔室内引入形成有半导体装置的基板，所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜上；半导体图案，贯通所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜；电荷捕获膜，沿着所述第一层间绝缘膜的上表面、所述第二层间绝缘膜的下表面和所述半导体图案的侧壁共形地形成；阻挡膜，沿着所述电荷捕获膜共形地形成；以及导电膜，形成为与所述阻挡膜接触，其中，所述阻挡膜的一部分被所述导电膜暴露；利用包括氯的...

【专利技术属性】
技术研发人员：全瑛恩，金润相，全珉星，金志宪，陈永炤，洪镇熙，崔圣慜，张东荣，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：