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本发明提供能够在不损伤工艺腔室的情况下稳定地执行原子层蚀刻的基板处理方法。所述基板处理方法包括以下步骤：向腔室内提供包括目标层的基板；利用包括氯的第一气体在所述腔室内形成第一等离子体，以对所述目标层执行第一改质；利用包括氧的第二气体在所述腔...
该专利属于细美事有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过细美事有限公司授权不得商用。

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