半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包含绝缘层、半导体层和化合物半导体叠层依序设置于基底上，以及第一晶体管、第二晶体管、隔离结构和导电结构。第一晶体管位于第一元件区内，且包含第一栅极、第一源极和第一漏极设置于化合物半导体叠层上，第二晶体管位于第二元件区内，且包含第二栅极、第二源极和第二漏极设置于化合物半导体叠层上，隔离结构设置于第一晶体管和第二晶体管之间，导电结构位于第二元件区内，贯穿化合物半导体叠层，且电连接半导体层至第二源极，其中位于第一元件区内的半导体层与第一源极之间不具有电性连接。间不具有电性连接。间不具有电性连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术是关于半导体装置，特别是关于一种包含高电子迁移率晶体管的半导体装置。

技术介绍

[0002]在半导体技术中，III
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V族的化合物半导体可用于形成各种集成电路装置，例如：高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)。HEMT是属于具有二维电子气(two dimensional electron gas,2
‑
DEG)的一种晶体管，其2
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DEG会邻近于能隙不同的两种材料之间的接合面(也即，异质接合面)。由于HEMT并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道，而是使用2
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DEG作为晶体管的载子通道，因此相较于现有的金氧半场效晶体管(MOSFET)，HEMT具有多种吸引人的特性，例如：高电子迁移率及以高频率传输信号的能力。
[0003]半桥电路(half
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bridge circuit)在电力电子领域的应用非常广泛，当半桥电路的上桥(hig本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一绝缘层、一半导体层和一化合物半导体叠层，依序设置于一基底上；一第一晶体管，位于一第一元件区内，且包括一第一栅极、一第一源极和一第一漏极设置于所述化合物半导体叠层上；一第二晶体管，位于一第二元件区内，且包括一第二栅极、一第二源极和一第二漏极设置于所述化合物半导体叠层上；一隔离结构，设置于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间；以及一导电结构，位于所述第二元件区内，贯穿所述化合物半导体叠层，且电连接所述半导体层至所述第二源极；其中位于所述第一元件区内的所述半导体层与所述第一源极之间不具有电性连接。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，位于所述第一元件区内的所述半导体层为电浮置层、或配置于电连接至接地节点。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，位于所述第一元件区内的所述半导体层经由一密封环电连接至接地端。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括另一导电结构，位于所述第一元件区内且贯穿所述化合物半导体叠层，其中所述另一导电结构将所述密封环电连接至所述半导体层。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述另一导电结构设置于所述第一晶体管的所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极的垂直投影区域的外侧。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括高电子迁移率晶体管，所述第一晶体管为一半桥电路的一高压开关元件，所述第二晶体管为所述半桥电路的一低压开关元件。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，位于所述第一元件区内的所述半导体层和所述第二源极电连接至相同的接地节点。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基底电连接至接地端。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基底、所述绝缘层和所述半导体层构成一绝缘层上覆半导体基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：华特，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：