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一种半导体装置，包含绝缘层、半导体层和化合物半导体叠层依序设置于基底上，以及第一晶体管、第二晶体管、隔离结构和导电结构。第一晶体管位于第一元件区内，且包含第一栅极、第一源极和第一漏极设置于化合物半导体叠层上，第二晶体管位于第二元件区内，且包...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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