一种射频前端模组及通信设备制造技术

本申请提出一种射频前端模组及通信设备，包括：公共匹配网络、功率放大器、低噪声放大器以及管理网络；公共匹配网络的第一端连接于功率放大器的第一输出端和低噪声放大器的第一输入端，公共匹配网络的第二端连接于功率放大器的第二输出端和低噪声放大器的第二输入端；管理网络分别与公共匹配网络、功率放大器以及低噪声放大器连接；管理网络用于向公共匹配网络、功率放大器以及低噪声放大器发送控制信号，以切换射频前端模组的工作模式。可以解决5G毫米波面临着更高的路径损耗，进而严重限制了5G毫米波的覆盖范围的问题。了5G毫米波的覆盖范围的问题。了5G毫米波的覆盖范围的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端模组及通信设备


[0001]本申请涉及射频领域，具体而言，涉及一种射频前端模组及通信设备。

技术介绍

[0002]高传输率、低延迟、高可靠性是全球对于5G通信的一致愿景。5G毫米波通信拥有更宽的可用频谱，成为当前的研究热点。在无线电通信大会WRC
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19上，确定了用于移动通信的全球统一5G毫米波频段：24.25～27.5GHz、37～43.5GHz、66～71GHz。根据Friis传输理论，随着信号频率的升高，其传输衰减会大幅升高。因此，相较于sub
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6GHz频段，5G毫米波面临着更高的路径损耗，进而严重限制了5G毫米波的覆盖范围。
[0003]如何克服以上问题，成为本领域技术人员所关注的难题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种射频前端模组及通信设备，以至少部分改善上述问题。
[0005]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种射频前端模组，所述射频前端模组包括：公共匹配网络100、功率放大器200、低噪声放大器300以及管理网络400；
[0007]所述公共匹配网络100的第一端连接于所述功率放大器200的第一输出端和所述低噪声放大器300的第一输入端，所述公共匹配网络100的第二端连接于所述功率放大器200的第二输出端和所述低噪声放大器300的第二输入端；
[0008]所述管理网络400分别与所述公共匹配网络100、所述功率放大器200以及所述低噪声放大器300连接；
[0009]所述管理网络400用于向所述公共匹配网络100、所述功率放大器200以及所述低噪声放大器300发送控制信号，以切换所述射频前端模组的工作模式。
[0010]第二方面，本申请实施例提供一种通信设备，所述通信设备包括上述的射频前端模组。
[0011]相对于现有技术，本申请实施例所提供的一种射频前端模组及通信设备，包括：公共匹配网络100、功率放大器200、低噪声放大器300以及管理网络400；公共匹配网络100的第一端连接于功率放大器200的第一输出端和低噪声放大器300的第一输入端，公共匹配网络100的第二端连接于功率放大器200的第二输出端和低噪声放大器300的第二输入端；管理网络400分别与公共匹配网络100、功率放大器200以及低噪声放大器300连接；管理网络400用于向公共匹配网络100、功率放大器200以及低噪声放大器300发送控制信号，以切换射频前端模组的工作模式。可以解决5G毫米波面临着更高的路径损耗，进而严重限制了5G毫米波的覆盖范围的问题。
[0012]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0014]图1为本申请实施例提供的射频前端模组的结构示意图；
[0015]图2为本申请实施例提供的射频前端模组各个子部件的结构示意图；
[0016]图3为本申请实施例提供的射频前端模组在发射模式下的小信号结果示意图；
[0017]图4为本申请实施例提供的射频前端模组的发射模式大信号结果示意图；
[0018]图5为本申请实施例提供的射频前端模组在接收模式下的小信号结果示意图；
[0019]图6为本申请实施例提供的射频前端模组在接收模式的噪声系数结果示意图。
[0020]图中：100
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公共匹配网络；101
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第一公共线圈；102
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第二公共线圈；200
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功率放大器；201
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第一发射线圈；202
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第二发射线圈；203
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第三发射线圈；204
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第四发射线圈；210
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第一发射放大器；211
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第一发射晶体管；212
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第二发射晶体管；213
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第一发射电容；214
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第二发射电容；220
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第二发射放大器；221
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第三发射晶体管；222
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第四发射晶体管；223
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第三发射电容；224
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第四发射电容；300
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低噪声放大器；301
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第一接收线圈；302
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第二接收线圈；303
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第三接收线圈；304
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第四接收线圈；310
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第一接收放大器；311
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第一接收晶体管；312
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第二接收晶体管；313
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第一接收电容；314
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第二接收电容；R1
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第一电阻；R2
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第二电阻；320
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第二接收放大器；321
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第三接收晶体管；322
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第四接收晶体管；323
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第三接收电容；324
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第四接收电容；400
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管理网络。
具体实施方式
[0021]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0022]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0023]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括：公共匹配网络(100)、功率放大器(200)、低噪声放大器(300)以及管理网络(400)；所述公共匹配网络(100)的第一端连接于所述功率放大器(200)的第一输出端和所述低噪声放大器(300)的第一输入端，所述公共匹配网络(100)的第二端连接于所述功率放大器(200)的第二输出端和所述低噪声放大器(300)的第二输入端；所述管理网络(400)分别与所述公共匹配网络(100)、所述功率放大器(200)以及所述低噪声放大器(300)连接；所述管理网络(400)用于向所述公共匹配网络(100)、所述功率放大器(200)以及所述低噪声放大器(300)发送控制信号，以切换所述射频前端模组的工作模式。2.如权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述公共匹配网络(100)包括第一公共线圈(101)和第二公共线圈(102)，所述第一公共线圈(101)作为所述公共匹配网络(100)的第三端和第四端，用于与收发天线连接，所述第二公共线圈(102)的两端作为所述公共匹配网络(100)的第一端和第二端；所述第二公共线圈(102)的中心抽头连接于所述管理网络(400)。3.如权利要求2所述的射频前端模组，其特征在于，所述功率放大器(200)包括第一发射线圈(201)、第二发射线圈(202)、第三发射线圈(203)、第四发射线圈(204)、第一发射放大器(210)以及第二发射放大器(220)；所述第一发射线圈(201)用于与发射输入端相连接，所述第二发射线圈(202)的两端分别与所述第一发射放大器(210)的第一输入端和第二输入相连接，所述第三发射线圈(203)的两端分别与所述第一发射放大器(210)的第一输出端和第二输出端相连接，所述第四发射线圈(204)的两端分别与所述第二发射放大器(220)的第一输入端和第二输入端相连接，所述第二发射放大器(220)的第一输出端和第二输出端分别作为所述功率放大器(200)的第一输出端和第二输出端；所述第二发射线圈(202)的中心抽头、所述第三发射线圈(203)的中心抽头以及所述第四发射线圈(204)的中心抽头均连接于所述管理网络(400)。4.如权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一发射放大器(210)包括第一发射晶体管(211)和第二发射晶体管(212)；所述第一发射晶体管(211)的栅极和所述第二发射晶体管(212)的栅极分别连接于所述第二发射线圈(202)的两端，所述第一发射晶体管(211)的漏极和所述第二发射晶体管(212)的漏极分别连接于所述第三发射线圈(203)的两端，所述第一发射晶体管(211)的源极和所述第二发射晶体管(212)的源极接地；所述第二发射放大器(220)包括第三发射晶体管(221)和第四发射晶体管(222)；所述第三发射晶体管(221)的栅极和所述第四发射晶体管(222)的栅极分别连接于所述第四发射线圈(204)的两端，所述第三发射晶体管(221)的漏极和所述第四发射晶体管(222)的漏极分别连接于所述第二公共线圈(102)的两端，所述第三发射晶体管(221)的源极和所述第四发射晶体管(222)的源极接地。5.如权利要求4所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一发射放大器(210)还包括第一发射电容(213)和第二发射电容(214)；所述第一发射电容(213)的一端与所述第一发射晶体管(211)的漏极相连接，所述第一
发射电容(213)的另一端与所述第二发射晶体管(212)的栅极相连接；所述第二发射电容(214)的一端与所述第二发射晶体管(212)的漏极相连接，所述第二发射电容(214)的另一端与所述第一发射晶体管(211)的栅极相连接。6.如权利要求4所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二发射放大器(220)还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉俊，缪桦，赵涤燹，何爱平，叶晓菁，刘会奇，
申请(专利权)人：缪桦，
类型：发明
国别省市：