一种系统级封装结构及其制备方法技术方案

本发明专利技术提供一种系统级封装结构及其制备方法，所述三维封装结构包括：重布线层、TSV桥接基板、第一类型芯片、第二类型芯片、第一塑封材料层、PCB板、第三类型芯片及第二塑封材料层；其中，所述TSV桥接基板及所述第一类型芯片键合设置在所述重布线层的上表面；所述第二类型芯片键合设置在所述TSV桥接基板的上表面；所述PCB板键合设置在所述重布线层的下表面；所述第三类型芯片键合设置在所述PCB板的下表面。本发明专利技术提供的系统级封装结构及其制备方法能够解决现有封装技术中应用的封装结构成本高、制程良率低，制备时需要历经多级不同的制造工厂，不利于产品快速开发的问题。不利于产品快速开发的问题。不利于产品快速开发的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种系统级封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种系统级封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于终端使用者希望他们使用的设备更小、更快、更节能、性能更高，因此在单一晶元中封装更多的功能，必然成为半导体封装未来的一个的重要趋势。从架构上来讲，SiP(System In a Package，系统级封装)是将多种功能芯片，包括处理器、内存等功能晶元集成在一个封装体内，从而形成一个一个实现特定功能的标准封装体，形成标准封装体后还需与电源模块、无源器件(譬如，LED或垂直发射激光器)通过一片印刷电路板(PCB)彼此互联。
[0003]在SIP封装时，对于不同精度的芯片(譬如：逻辑芯片、记忆芯片、电源芯片等不同制程要求的芯片)连接来说，低焊点密度的芯片直接与PCB板连接，中焊点密度的芯片通过RDL(重布线层)与PCB板连接，高密度的芯片借助TSV桥接基板(带有硅通孔的桥接基板)与RDL连接，然后再由RDL与PCB连接；最终，不同的芯片最终都与PCB互联，但是PCB通常为塑酯类材料，其尺寸愈大，愈容易产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统级封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1，提供一临时载板，于所述临时载板上表面形成重布线层；S2，提供至少一个TSV桥接基板及至少一个第一类型芯片，将所述TSV桥接基板及所述第一类型芯片分别与所述重布线层的上表面键合连接；S3，提供至少一个第二类型芯片，将所述第二类型芯片与所述TSV桥接基板键合连接，其中，所述第二类型芯片的焊点密度高于所述第一类型芯片的焊点密度；S4，于所述重布线层的上表面形成第一塑封材料层，所述第一塑封材料层包覆所述第一类型芯片及所述第二类型芯片；S5，去除所述临时载板，提供若干个PCB板，将若干个所述PCB板与所述重布线层的下表面键合连接；S6，提供若干个第三类型芯片，将若干个所述第三类型芯片与若干个所述PCB板键合连接，其中，所述第三类型芯片的焊点密度低于所述第一类型芯片的焊点密度；S7，于所述重布线层的下表面形成第二塑封材料层，所述第二塑封材料层包覆所述第三类型芯片。2.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制备方法，其特征在于，于所述S4之后，并于所述S5之前，所述制备方法还包括：S41，减薄所述第一塑封材料层，直至暴露出所述第一类型芯片的上表面和/或所述第二类型芯片的上表面。3.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制备方法，其特征在于，于所述S4之后，并于所述S5之前，所述制备方法还包括：S42，于所述重布线层的上侧设置散热板，其中，所述散热板将若干个所述第一类型芯片及若干个所述第二类型芯片包覆于其内。4.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制备方法，其特征在于，于所述S7之后，所述制备方法还包括：S8，于所述第二塑封材料层内形成沟槽，所述沟槽暴露出所述PCB板的部分表面；S9，提供至少一个连接插件，在所述沟槽内将所述连接插件与所述PCB板键合连接。5.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制备方法，其特征在于，所述S2中，所述TSV桥接基板的数...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：