【技术实现步骤摘要】
在边缘无缺陷硅片上增加缺口的方法
[0001]本专利技术涉及硅片加工
,具体涉及一种在边缘无缺陷硅片上增加缺口的方法。
技术介绍
[0002]随着器件特征尺寸的减小,对硅片晶体部分质量要求越来越高,对于硅片的抛光片,晶体原生缺陷是一个非常重要的特征。晶棒拉制完成后,需要经过辊磨、开槽、切片、倒角、抛光等工艺,再进行晶体原生缺陷的检查。
[0003]现在的工艺流程内,在晶棒辊磨后将在晶棒表面沿固定晶向的位置开一排缺口(以下称notch),切片完成后,这些硅片边缘的notch将作为加工、检测过程中重要的定位依据,同时标明硅片的类型和晶向,而且notch槽定位的精确度对后续加工成品率及最终产品性能有着重要的影响。
[0004]现有的notch位置主要有<100><111><110>晶向,如果这些位置被固定,则已开notch硅片无法被其他位置晶向的需求使用。但是现有流程在实施过程中,存在明显缺点,晶棒确定晶向开槽后,使用对象即被 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在边缘无缺陷硅片上增加缺口的方法,其特征在于包括如下操作步骤:第一步:使用AutoCAD软件,设计出砂轮沟槽数据;第二步:将成型砂轮图纸使用金刚石、镍或其它合金,加工成作为硅片研磨使用的砂轮;第三步:将拉制、辊磨完成还未开notch的单晶硅棒的待检测部位独立切割成单片,单片厚度为0.8~1.2mm;第四步:在切好的硅片边缘使用非单晶硅片颜色的油性笔,制作由硅片边缘向圆心延伸的2mm线段,作为单片开取notch位置标识;第五步:将加工好的砂轮垂直安装到加工设备内,通过电磁阀调整砂轮的自转速度,砂轮的自转速度范围在3000~8000rpm;第六步:将标记好的硅片放置在加工台上,对齐硅片和加工台的圆心;第七步:使用图像识别系统,将硅片标识位置对准研磨砂轮,确定待加工位置;第八步:人工控制加工台和硅片沿直线方向靠近研磨砂轮;第九步:当硅片进入砂轮沟槽内,开始按照1μm/秒的进给速率控制硅片;第十步:进给量依据SEMI标准加工0.8~1....
【专利技术属性】
技术研发人员:高威,
申请(专利权)人:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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