使用选择性耦合器的激光器芯片和另一个芯片的对准制造技术

本发明专利技术公开了一种用于对准激光器芯片与电光芯片的方法，所述方法可以包括：引导探测信号穿过所述电光芯片并朝向所述激光器芯片；通过所述电光芯片的第一检测器检测反射探测信号，反射探测信号从所述激光器芯片反射；根据所述反射探测信号确定所述激光器芯片是否与所述电光芯片对准；其中所述探测信号和所述反射探测信号在第一波长范围内。反射探测信号在第一波长范围内。反射探测信号在第一波长范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用选择性耦合器的激光器芯片和另一个芯片的对准

技术介绍

[0001]有必要精确对准在SiP技术中用作光子集成电路PIC的设计和制造的构件块的激光器芯片和硅芯片。在相关设计中，所述激光器芯片包括激光器波导，该激光器波导能够将激光辐射输出到硅芯片上的波导中。为了实现激光辐射的有效耦合，激光器和硅芯片上的相应波导必须正确对准。通常，所述硅芯片包含其他光子集成电路(PIC)，它们由激光器的光信号驱动，以实现特定所需应用的特定功能。
[0002]在与硅芯片的对准过程中，激光器芯片的激活是昂贵的、复杂的和存在棘手问题的，特别是对于在大规模生产中制造的设备。因此，对不需要激光器激活的对准方法的需求不断增长，这些方法被定义为被动对准方法。
[0003]通常，在这些对准方法中，需要在激光器和硅管芯部件二者上制造附加元件，例如波导、标记和其他元件。激光器管芯上这些附加元件的制造成本明显高于硅管芯部件。因此，简化加工和/或管芯尺寸可以对由激光器芯片和硅芯片组成的PIC电路组件的制造成本产生更大的影响。
[0004]因此，存在开发可以简化对准过程并降低激光器管芯/芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于对准激光器芯片与电光芯片的方法，所述方法包括：引导探测信号穿过所述电光芯片并朝向所述激光器芯片；通过所述电光芯片的第一检测器检测反射探测信号，所述反射探测信号从所述激光器芯片反射；根据所述反射探测信号确定所述激光器芯片是否与所述电光芯片对准；其中，所述探测信号和所述反射探测信号在第一波长范围内；其中，所述引导和所述检测在保持所述激光器芯片和所述电光芯片之间的当前空间关系时进行；其中，所述反射探测信号穿过所述电光芯片的第一光路，所述第一光路被配置为传输在第一波长范围内的信号；其中，所述第一光路不同于所述电光芯片的第二光路，第二光路被配置为传输在不同于第一波长范围的第二波长范围内的信号；和其中，所述激光器芯片被配置为输出在第二波长范围内的激光信号。2.根据权利要求1所述的方法，包括当确定所述激光器芯片未与所述电光芯片对准时，改变所述激光器芯片与所述电光芯片之间的当前空间关系。3.根据权利要求1所述的方法，包括：通过所述电光芯片的波长选择耦合器WSC的第一WSC端口接收所述探测信号；通过被配置为传输所述在第一波长范围内的信号的第一WSC光路，将所述探测信号从所述第一WSC端口导向第二WSC端口；从所述第二WSC端口输出所述探测信号至第一波导；通过所述第二WSC端口接受来自所述第一波导的所述反射探测信号；和通过所述第一WSC光路，将来自所述第二WSC端口的所述反射探测信号导向所述第一WSC端口；和其中，WSC的第三WSC端口经由第二WSC光路光学耦合到所述第二WSC端口，第二WSC光路被配置为传输在第二波长范围内的信号。4.根据权利要求1所述的方法，包括测量所述探测信号的样本以提供探测信号测量。5.根据权利要求1所述的方法，包括在所述激光器芯片的激光器被停用时执行所述引导和所述检测。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述引导和所述检测由所述电光芯片的对准单元执行。7.一种用于操作激光器芯片的方法，所述方法包括：从所述激光器芯片向与所述激光器芯片对准的电光芯片输出激光信号；和使所述激光信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y，
申请(专利权)人：达斯特光子学公司，
类型：发明
国别省市：