半导体结构的制作方法技术

本申请提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤：步骤S1：在衬底上形成第一外延结构，第一外延结构中掺杂有掺杂元素；步骤S2：在第一外延结构上形成牺牲层；步骤S3：刻蚀牺牲层；步骤S4：在完成刻蚀牺牲层的第一外延结构上生长插入层；步骤S5：在插入层上继续生长第二外延结构；其中，在进入步骤S4前，重复N次步骤S2和S3，直至第一外延结构中的掺杂元素的浓度低于预设值。本申请通过在第一外延结构上形成牺牲层并反复刻蚀牺牲层，以使第一外延结构中的掺杂元素的浓度低于一预设值，从而防止第一外延结构中的掺杂元素向上析出进入上层的外延结构，保证上层的外延结构的电子的迁移率，以及提高器件的性能。以及提高器件的性能。以及提高器件的性能。以及提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，向鹏，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：