一种清洗碳化硅晶片的方法及其应用技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，公开了一种清洗碳化硅晶片的方法及其应用。该方法包括：依次使用硫酸

【技术实现步骤摘要】
一种清洗碳化硅晶片的方法及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种清洗碳化硅晶片的方法及其应用。

技术介绍

[0002]碳化硅作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率、高临界击穿场度、高电子饱和漂移速率等优点，所以在半导体制造领域具有巨大的应用前景。
[0003]目前行业内，碳化硅晶片普遍采用硅片RCA清洗方法，具体清洗方法为：按照SPM、DHF、SC
‑
1、SC
‑
2的顺序依次对碳化硅晶片进行清洗，得到清洗后的碳化硅晶片，具体为：
[0004]SPM：使用98vol％的H2SO4和30vol％H2O2按照4：1的体积比制备成清洗液，在120
‑
150℃温度下进行清洗；
[0005]DHF：将烯HF和H2O以1：100
‑
250的体积比制备成清洗液，在20
‑
25℃温度下进行清洗；
[0006]SC
‑
1：将NH3·
H2O、H2O2和H2O以1：1：5的体积比制备成清洗液，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗碳化硅晶片的方法，其特征在于，该方法包括：依次使用硫酸
‑
过氧化氢清洗液、氨水
‑
过氧化氢清洗液、盐酸
‑
过氧化氢清洗液、氢氟酸
‑
过氧化氢清洗液对碳化硅晶片进行清洗，得到碳化硅晶片IV；以干基计，所述氨水
‑
过氧化氢清洗液、所述盐酸
‑
过氧化氢清洗液和所述氢氟酸
‑
过氧化氢清洗液中的过氧化氢的浓度至少满足条件(1)和条件(2)：所述条件(1)为：过氧化氢的浓度依次增大，且增大值各自独立地选自5
‑
10wt％；所述条件(2)为：过氧化氢的浓度各自独立地选自41
‑
68wt％。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以干基计，所述硫酸
‑
过氧化氢清洗液中过氧化氢的浓度为3
‑
10wt％；和/或所述氨水
‑
过氧化氢清洗液中过氧化氢的浓度为41
‑
52wt％；和/或所述盐酸
‑
过氧化氢清洗液中过氧化氢的浓度为48
‑
57wt％；和/或所述氢氟酸
‑
过氧化氢清洗液中过氧化氢的浓度为55
‑
68wt％。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述依次使用硫酸
‑
过氧化氢清洗液、氨水
‑
过氧化氢清洗液、盐酸
‑
过氧化氢清洗液、氢氟酸
‑
过氧化氢清洗液对碳化硅晶片进行清洗的操作包括：(1)使用所述硫酸
‑
过氧化氢清洗液对碳化硅晶片进行第一清洗，得到碳化硅晶片I；(2)使用所述氨水
‑
过氧化氢清洗液对所述碳化硅晶片I进行第二清洗，得到碳化硅晶片II；(3)使用所述盐酸
‑
过氧化氢清洗液对所述碳化硅晶片II进行第三清洗，得到碳化硅晶片III；(4)使用所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田辉，林宏达，翟虎，宋亚滨，
申请(专利权)人：东旭科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：