一种形成外延层的方法技术

本发明专利技术涉及一种形成外延层的方法，包含以下步骤：S1、提供衬底；将所述衬底置于外延设备的腔体内，所述外延设备包括腔体、第一进气件、排气口和内、外灯组，所述内、外灯组用于给衬底加热，所述第一进气件和排气口分别置于腔体相对的两侧；S2、通过第一进气件向腔体内沿第一方向通入工艺气体，执行外延工艺；其中，所述工艺气体包括第一硅源和不同于第一硅源的第二硅源。本发明专利技术通过控制两种硅源工艺气体的流量，以及优化内、外灯组功率占比，提高了硅外延层的均匀性。层的均匀性。层的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种形成外延层的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种形成外延层的方法。

技术介绍

[0002]目前硅晶圆作为最重要的半导体材料，在信息产业中起着不可替代的作用，但其存在载流子迁移率低和器件速度比较慢等缺点，需要进行外延生长其他材料来解决该问题，其中锗硅就是最常见的外延材料。
[0003]而锗硅外延层内部存在应力，容易发生弛豫，通常需要在锗硅外延层上再外延一层硅，用以保护及后续加工。受限于外延设备的加热灯组分配，硅外延层的均匀性一直是难以解决的问题。

技术实现思路

[0004]为解决硅外延层均匀性问题，本专利技术提出了一种形成外延层的方法，包含以下步骤：
[0005]S1、提供衬底；将所述衬底置于外延设备的腔体内，所述外延设备包括腔体、第一进气件、排气口和内、外灯组，所述内、外灯组用于给衬底加热，所述第一进气件和排气口分别置于腔体相对的两侧；
[0006]S2、通过第一进气件向腔体内沿第一方向通入工艺气体，执行外延工艺；
[0007]其中，所述工艺气体包括第一硅源和不同于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成外延层的方法，其特征在于，包含以下步骤：S1、提供衬底；将所述衬底置于外延设备的腔体内，所述外延设备包括腔体、第一进气件、排气口和内、外灯组，所述内、外灯组用于给衬底加热，所述第一进气件和排气口分别置于腔体相对的两侧；S2、通过第一进气件向腔体内沿第一方向通入工艺气体，执行外延工艺；其中，所述工艺气体包括第一硅源和不同于第一硅源的第二硅源。2.如权利要求1所述的形成外延层的方法，其特征在于，所述第一硅源包括硅和氢；第二硅源包括氟、氯中的至少一者和硅。3.如权利要求2所述的形成外延层的方法，其特征在于，第一硅源包括SiH4、Si2H6、Si3H8中的至少一者。4.如权利要求2所述的形成外延层的方法，其特征在于，第二硅源包括SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4中的至少一者。5.如权利要求1所述的形成外延层的方法，其特征在于，所述第一进气件包括至少两个进气通道，所述至少两个进气通道水平排列，与衬底所在平面平行。6.如权利要求5所述的形成外延层的方法，其特征在于，每个所述进气通道之间相互独立供应工艺气体，且每个进气通道独立控制工艺气体的流量。7.如权利要求5所述的形成外延层的方法，其特征在于，在步骤S2中，通过调节不同进气通道中第一硅源和第二硅源的流量比例来调节所述外延工艺中形成外延层的均匀性。8.如权利要求5所述的形成外延层的方法，其特征在于，在步骤S2中，向第一进气件的进气通道内通入第一硅源和第二硅源；其中，所述第一硅源在不同进气通道的流量从中心至边缘方向递减，所述第二硅源在不同进气通道的流量从中心至边缘方向递增。...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶斌，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：