本实用新型专利技术公开了一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，其包括：布气管、进气管接头和布气罩，所述进气管接头设置在水平放置的布气管上，所述布气罩设置在布气管的下方，并沿布气管的长度方向延伸，所述布气罩的两端分别设置有与布气管外圆相连接的第一封堵板，所述布气管两侧设置有与布气罩顶部对应侧相连接的连接板，所述布气罩底部设置沿其长度方向延伸的布气槽，所述布气罩内对称设置有位于布气槽两侧的隔板，所述隔板顶部与布气管外圆之间留有空隙，所述布气管下部两侧分别设置有一排指向对应侧隔板与连接板之间的布气孔。本实用新型专利技术所述的半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，可以通过布气槽喷出气幕，提升了布气均匀性。均匀性。均匀性。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置
[0001]本技术涉及半导体晶片氧化设备领域，尤其涉及一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置。
技术介绍
[0002]为了进行半导体晶片的保护，可以利用氧化炉在半导体晶片上形成一层氧化保护层。
[0003]在半导体晶片氧化的过程中，为了提升安全性，可以向氧化炉通入惰性保护气体（比如氩气）进行保护。通常采用的做法是在氧化炉中安装布气管，通过布气管进行惰性气体在氧化炉中的输入和分布。为了提升惰性气体分布的均匀性，申请号为2017209024458的技术专利公开了一种均匀喷淋的光伏硅片石英扩散炉，在喷淋管的管壁开有多个喷淋孔，而且距离石英扩散炉头部较近的喷淋孔的直径大于距离石英扩散炉尾部较近的喷淋孔的直径，以解决喷淋管喷淋不均匀的问题。实际上，喷淋孔的直径大小和间距变化难以精确计算，效果不明显，需要进行改进。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，进行惰性保护气体的输出，提升布气均匀性。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，包括：布气管、进气管接头和布气罩，所述进气管接头设置在水平放置的布气管上，所述布气罩设置在布气管的下方，并沿布气管的长度方向延伸，所述布气罩的两端分别设置有与布气管外圆相连接的第一封堵板，所述布气管两侧设置有与布气罩顶部对应侧相连接的连接板，所述布气罩底部设置沿其长度方向延伸的布气槽，所述布气罩内对称设置有位于布气槽两侧的隔板，所述隔板顶部与布气管外圆之间留有空隙，所述布气管下部两侧分别设置有一排指向对应侧隔板与连接板之间的布气孔。
[0007]其中，所述进气管接头垂直设置在布气管的顶面中部。
[0008]其中，所述布气罩的长度小于布气管的长度。
[0009]其中，所述布气管两端分别设置有第二封堵板。
[0010]其中，所述布气孔沿布气管长度方向间隔分布。
[0011]其中，所述布气罩截面为与布气管同心的半圆形结构。
[0012]本技术的有益效果：一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，进气管接头外接惰性保护气体供应管道，将惰性保护气体导入布气管，利用布气管下部两侧的两排布气孔，将惰性保护气体导入布气罩，惰性保护气体经过布气罩内壁及隔板的反射进行第一次扰流，提升气压分布的均匀性，然后通过隔板顶部与布气管外圆之的空隙进行两侧隔板之间，进行第二次扰流，进一步提升气压分布的均匀性，最后通过布气槽向下喷出气幕，
提升了氧化炉内的布气均匀性。
附图说明
[0013]图1是本技术的结构示意图；
[0014]图2是图1的A
‑
A向剖视图。
具体实施方式
[0015]下面结合图1至图2并通过具体实施例来进一步说明本技术的技术方案。
[0016]如图1所示的半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，包括：布气管1、进气管接头3和布气罩2，所述进气管接头3设置在水平放置的布气管1上，进气管接头3外接惰性保护气体供应管道，将惰性保护气体从中部导入布气管1。在本实施例中，布气管1水平放置在氧化炉中，可以进行氧化炉中惰性气体的布气，进行安全保护。
[0017]在本实施例中，所述进气管接头3垂直设置在布气管1的顶面中部，使得惰性气体从布气管1中部向两端分流，减少两端压差问题。在所述布气管1两端分别设置有第二封堵板5，第二封堵板5焊接固定在布气管1两端，气密性好，可以有效避免布气管1两端漏气的问题。
[0018]将所述布气罩2设置在布气管1的下方，并沿布气管1的长度方向延伸，在本实施例中，所述布气罩2的长度小于布气管1的长度，所述布气罩2的两端分别设置有与布气管1外圆相连接的第一封堵板6，进行焊接固定，避免布气罩2两端漏气的问题。
[0019]如图2所示，所述布气罩2截面为与布气管1同心的半圆形结构，间隔均匀。所述布气管1两侧设置有与布气罩2顶部对应侧相连接的连接板8，连接板8焊接固定在布气管1侧面与布气罩2的顶部之间，结构比较稳定。
[0020]在所述布气罩2底部设置沿其长度方向延伸的布气槽7，可以通过布气槽7向下喷出气幕。所述布气罩2内对称设置有位于布气槽7两侧的隔板4，在本实施例中，所述隔板4顶部与布气管1外圆之间留有空隙，以便进行惰性气体的流通。
[0021]如图2所示，所述布气管1下部两侧分别设置有一排指向对应侧隔板4与连接板8之间的布气孔9，在本实施例中，所述布气孔9沿布气管1长度方向间隔分布，利用布气孔9将布气管1中的惰性保护气体导入布气罩2，惰性保护气体经过布气罩2内壁及隔板4的反射进行第一次扰流，提升隔板4与连接板8之间通道内气压分布的均匀性，然后通过隔板4顶部与布气管1外圆之的空隙进行两侧隔板4之间，进行第二次扰流，进一步提升气压分布的均匀性，最后通过布气槽7向下喷出气幕，提升了布气均匀性。
[0022]以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，其特征在于，包括：布气管、进气管接头和布气罩，所述进气管接头设置在水平放置的布气管上，所述布气罩设置在布气管的下方，并沿布气管的长度方向延伸，所述布气罩的两端分别设置有与布气管外圆相连接的第一封堵板，所述布气管两侧设置有与布气罩顶部对应侧相连接的连接板，所述布气罩底部设置沿其长度方向延伸的布气槽，所述布气罩内对称设置有位于布气槽两侧的隔板，所述隔板顶部与布气管外圆之间留有空隙，所述布气管下部两侧分别设置有一排指向对应侧隔板与连接板之间的布气孔。2.根据权利要求1所述的半导体晶片氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：周兵兵，周炳，
申请(专利权)人：德兴市意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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