【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置
[0001]本技术涉及半导体晶片氧化设备领域，尤其涉及一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置。
技术介绍
[0002]为了进行半导体晶片的保护，可以利用氧化炉在半导体晶片上形成一层氧化保护层。
[0003]在半导体晶片氧化的过程中，为了提升安全性，可以向氧化炉通入惰性保护气体（比如氩气）进行保护。通常采用的做法是在氧化炉中安装布气管，通过布气管进行惰性气体在氧化炉中的输入和分布。为了提升惰性气体分布的均匀性，申请号为2017209024458的技术专利公开了一种均匀喷淋的光伏硅片石英扩散炉，在喷淋管的管壁开有多个喷淋孔，而且距离石英扩散炉头部较近的喷淋孔的直径大于距离石英扩散炉尾部较近的喷淋孔的直径，以解决喷淋管喷淋不均匀的问题。实际上，喷淋孔的直径大小和间距变化难以精确计算，效果不明显，需要进行改进。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，进行惰性保护气体的输出，提升布气均匀性。
[0005]为达此目的，本技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片氧化炉用保护气体布气装置，其特征在于，包括：布气管、进气管接头和布气罩，所述进气管接头设置在水平放置的布气管上，所述布气罩设置在布气管的下方，并沿布气管的长度方向延伸，所述布气罩的两端分别设置有与布气管外圆相连接的第一封堵板，所述布气管两侧设置有与布气罩顶部对应侧相连接的连接板，所述布气罩底部设置沿其长度方向延伸的布气槽，所述布气罩内对称设置有位于布气槽两侧的隔板，所述隔板顶部与布气管外圆之间留有空隙，所述布气管下部两侧分别设置有一排指向对应侧隔板与连接板之间的布气孔。2.根据权利要求1所述的半导体晶片氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：周兵兵，周炳，
申请(专利权)人：德兴市意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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