半导体器件制造技术

本申请公开一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底内设有被绝缘层分离的多个第一导电接触垫；位于所述衬底上多个凸柱；位于相邻的两个所述凸柱之间的半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫。本申请能够抑制半导体器件中的漏电问题，提升半导体性能。提升半导体性能。提升半导体性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]互连结构是半导体器件中的常见结构，能够对半导体器件中的多个对象进行互连，使互连的各个对象连通，相互协助，实现对应功能。专利技术人对半导体器件中的互连结构进行研究，发现采用如图1所示互连结构(如环状互连结构)连接下端的对象1和上方的对象2时，容易漏电，影响对应半导体器件的性能。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种半导体器件，以解决相关互连结构容易漏电，影响对应半导体器件性能的问题。
[0004]本申请提供一种半导体器件，包括：
[0005]衬底，所述衬底内设有被绝缘层分离的多个第一导电接触垫；
[0006]位于所述衬底上多个凸柱；
[0007]位于相邻的两个所述凸柱之间的半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内设有被绝缘层分离的多个第一导电接触垫；位于所述衬底上多个凸柱；位于相邻的两个所述凸柱之间的半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二U型导电层的导电能力低于所述第一U型导电层的导电能力。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二U型导电层的顶部表面对齐所述第一介质层的顶部表面。4.根据权利要求1所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏腾，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：