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本申请公开一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底内设有被绝缘层分离的多个第一导电接触垫;位于所述衬底上多个凸柱;位于相邻的两个所述凸柱之间的半导体结构,所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触,所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各...该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。
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本申请公开一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底内设有被绝缘层分离的多个第一导电接触垫;位于所述衬底上多个凸柱;位于相邻的两个所述凸柱之间的半导体结构,所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触,所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各...