半导体器件及其形成方法技术

本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成绝缘层与被所述绝缘层所分离的第一导电接触垫；在所述衬底上形成多个凸柱；在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫。本申请能够抑制半导体器件中的漏电问题，提升半导体性能。提升半导体性能。提升半导体性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]互连结构是半导体器件中的常见结构，能够对半导体器件中的多个对象进行互连，使互连的各个对象连通，相互协助，实现对应功能。专利技术人对半导体器件中的互连结构进行研究，发现采用如图1所示互连结构(如环状互连结构)连接下端的对象1和上方的对象2时，容易漏电，影响对应半导体器件的性能。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种半导体器件及其形成方法，以解决相关互连结构容易漏电，影响对应半导体器件性能的问题。
[0004]本申请提供一种半导体器件的形成方法，包括：
[0005]提供衬底，在所述衬底内形成绝缘层与被所述绝缘层所分离的第一导电接触垫；
[0006]在所述衬底上形成多个凸柱；
[0007]在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成绝缘层与被所述绝缘层所分离的第一导电接触垫；在所述衬底上形成多个凸柱；在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，包括：形成保形覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层；在所述第一U型导电层表面形成第二U型导电层，所述第二U型导电层的导电能力低于所述第一U型导电层的导电能力；在所述第二U型导电层内的第一凹槽中填充第一介质层，所述第一介质层的顶部表面不高于第二U型导电层的顶部表面；在所述第一介质层的上表面形成第二导电接触垫，以使所述第一U型导电层和所述第二U型导电层连通所述第一导电接触垫和所述第二导电接触垫。3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述在所述第二U型导电层内的第一凹槽中填充第一介质层，包括：形成填充所述第二U型导电层内第一凹槽，并覆盖所述第二U型导电层表面的第一介质层；刻蚀所述第一介质层和所述第二U型导电层，使所述第一介质层和所述第二U型导电层的表面齐平，并低于所述第一U型导电层顶部。4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一介质层和所述第二U型导电层，包括：刻蚀所述第一介质层，使所述第一介质层的表面位于所述第一凹槽内；刻蚀所述第二U型导电层，使所述第二U型导电层对齐所述第一介质层。5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凸柱内设有第二介质层；所述第一U型导电层还覆盖所述凸柱的顶部表面；所述在第一介质层的上表面形成第二导电接触垫，包括：形成填充所述第一U型导电层的侧壁与所述第二U型导电层和所述第一介质层的上表面围成的第二凹槽，且覆盖所述第一U型导电层的侧壁与所述第二U型导电层和所述第一介质层的上表面的第一掺杂半导体层；刻蚀所述第一掺杂半导体层和所述第一U型导电层，以暴露所述凸柱内的第二介质层，并使所述第一掺杂半导体层作为所述第二导电接触垫，对齐所述第二介质层。6.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述凸柱内设有第二介质层；所述第一U型导电层还覆盖所述凸柱的顶部表面，所述第二U型导电层还覆盖所述第一U型导电层的顶部表面；所述在第一介质层的上表面形成第二导电接触垫，包括：形成填充所述第二U型导电层的侧壁和所述第一介质层的上表面围成的第三凹槽，且
覆盖所述第二U型...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏腾，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：