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本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成绝缘层与被所述绝缘层所分离的第一导电接触垫；在所述衬底上形成多个凸柱；在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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