半导体处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种半导体处理设备，涉及半导体设备技术领域。半导体处理设备包括：可视单元，设置于半导体处理设备壳体上，用于观察半导体处理设备内部情况；清除单元，设置于半导体处理设备内部，用于清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物；驱动单元，与清除单元连接，用于驱动所述清除单元，以清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物。本发明专利技术的半导体处理设备通过设置给可视单元匹配设置清除单元，协同可视单元监控半导体处理过程，便于精准控制处理工艺过程，保证半导体的处理结果达到良率。果达到良率。果达到良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理设备


[0001]本专利技术属于半导体设备
，特别涉及半导体处理设备。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造业的高速发展，更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。先进封装已经成为半导体产业未来发展的重点之一。先进封装对于推动半导体创新至关重要。目前市场上先进封装工艺主要有三维硅通孔(TSV,Through Silicon Via)、扇出型(Fan
‑
out)封装、倒装芯片(Flip
‑
chip)封装以及扇入型(Fan
‑
in WLP)封装。其中，由于三维硅通孔技术能提供更短的电连接通路、能拥有更多的信号通道、能代替效率低下的引线等优点，是提高器件性能的可行途径，故其成为三维集成电路核心技术之一，成为集成电路封装工艺中研究的热点。而电镀作为TSV技术中至关重要的工艺也被重点研究。
[0003]电镀工艺是利用电解的原理在导电体上沉积一层金属的方法，具体是指在含有预镀金属的盐类溶液中，以被镀基体金属为阴极，通过电解作用，使镀液中预镀金属的阳离子在基体金属表面沉积出来，形成镀层的一种表面加工方法。
[0004]尤其是在集成电路制造行业，对于高性能集成电路中必须被填充的具有高深宽比的孔和槽，在高深宽比硅通孔由下而上的填充过程中，，必须完全填充通孔，不能滞留任何气泡，否则内部存在空洞缺陷，甚至有的TSV孔内无法填充的情况，严重影响TSV的可靠性。为了提高铜电镀的稳定性和均匀性，研究人员在进行铜电镀之前采用了对硅片预湿处理。
[0005]在预湿处理的过程中，需要对预湿腔内部的情况进行实时观察，预湿腔在工作时，在预湿腔上方有一个用于观察腔内工作情况的区域。在工艺过程中，腔体内部是密闭的负压空间，腔体内部充满水雾，当腔体被打开，内部水雾迅速凝聚成水滴，一旦有水滴附着在供观察的区域上，再观察腔体内部时，视野内非常模糊，在该种情况下无法观察到腔内工艺实施的状况。即使工艺产生异常也无法判断出来，进而会影响异常情况的原因排查。

技术实现思路

[0006]为了能够便于观察预湿腔内部的具体情况，精准监控半导体处理设备内部的工作情况，本专利技术公开了一种半导体处理设备。
[0007]本申请实施例提供了一种半导体处理设备，包括：
[0008]可视单元，设置于半导体处理设备壳体上，用于观察半导体处理设备内部情况；
[0009]清除单元，设置于半导体处理设备内部，用于清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物；
[0010]驱动单元，与清除单元连接，用于驱动所述清除单元，以清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物。
[0011]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述清除单元包括：
[0012]刮板本体，可拆卸安装于驱动单元上；
[0013]容纳槽，沿刮板本体长度方向设置于刮板本体上端面；
[0014]安装部，设置于所述容纳槽底部，用于安装刮条。
[0015]刮条，设置于所述安装部内，被配置为清除目标物体。
[0016]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述刮板本体还包括：排出口，设置于所述刮板本体的一端，与所述容纳槽相连通。
[0017]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述容纳槽底壁沿刮板本体长度方向倾斜设置，且靠近排出口的一端低于远离排出口的一端。
[0018]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述容纳槽底壁倾斜设置的坡度的范围为0
‑
1.5
°
。
[0019]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述刮条的制备材料为耐腐蚀耐磨材料。
[0020]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述安装部为槽结构或通孔结构。
[0021]根据本申请实施例的一种具体实现方式，半导体处理设备还包括：
[0022]喷头单元，与驱动单元连接，所述驱动单元驱动喷头单元围绕以喷头单元与驱动单元连接处为圆心做扇形运动；
[0023]所述喷头单元包括：液体喷头和移动臂；
[0024]所述液体喷头，设置于所述移动臂的一端；
[0025]所述移动臂，另一端与驱动单元连接；
[0026]所述驱动单元，驱动移动臂带着液体喷头在基板的正上方做往复运动。
[0027]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述液体喷头与所述刮板本体的夹角固定设置。
[0028]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述喷头单元还包括气体喷头，用于气体吹扫。
[0029]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述刮条与所述可视单元直接接触以清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物；
[0030]或，
[0031]所述刮条与所述可视单元不接触，所述刮条与所述可视单元之间的距离小于目标物直径以清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物。
[0032]本专利技术的半导体处理设备通过设置给可视单元匹配设置清除单元，协同可视单元监控半导体处理过程，便于精准控制处理工艺过程，保证半导体的处理结果达到良率。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1示出了本专利技术实施例1的半导体处理设备局部结构关系示意图；
[0035]图2示出了本专利技术实施例1的驱动单元的驱动轴与清除单元装配完成的立体结构示意图；
[0036]图3示出了本专利技术实施例的刮板本体立体结构示意图；
[0037]图4示出了本专利技术实施例的清除单元立体结构示意图；
[0038]图5示出了本专利技术实施例的刮板本体仰视图；
[0039]图6示出了本专利技术实施例的刮板本体侧视图；
[0040]图7示出了本专利技术实施例1的半导体处理设备清除单元位于工作初始位置时的局部结构仰视图；
[0041]图8示出了本专利技术实施例1的半导体处理设备清除单元位于工作结束位置时的局部结构仰视图；
[0042]图9示出了本专利技术实施例2的半导体处理设备局部结构关系示意图；
[0043]图10示出了本专利技术实施例2的驱动单元的驱动轴与清除单元与喷头单元装配完成的立体结构示意图；
[0044]图11示出了本专利技术实施例2的半导体处理设备清除单元位于工作结束位置时的局部结构仰视图；以及
[0045]图12示出了本专利技术实施例2的半导体处理设备清除单元位于工作结束位置时的局部结构仰视图。
具体实施方式
[0046]为使本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：可视单元，设置于半导体处理设备壳体上，用于观察半导体处理设备内部情况；清除单元，设置于半导体处理设备内部，用于清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物；驱动单元，与清除单元连接，用于驱动所述清除单元，以清除所述可视单元位于设备内部一侧上的目标物。2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述清除单元包括：刮板本体，可拆卸安装于驱动单元上；容纳槽，沿刮板本体长度方向设置于刮板本体上端面；安装部，设置于所述容纳槽底部，用于安装刮条。刮条，设置于所述安装部内，被配置为清除目标物体。3.根据权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于：所述刮板本体还包括：排出口，设置于所述刮板本体的一端，与所述容纳槽相连通。4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于：所述容纳槽底壁沿刮板本体长度方向倾斜设置，且靠近排出口的一端低于远离排出口的一端。5.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于：所述容纳槽底壁倾斜设置的坡度的范围为0
‑
1.5
°
。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辰，杨宏超，贾照伟，王坚，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：