一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统技术方案

本实用新型专利技术属于尾气过滤器技术领域，具体涉及一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统，包括一级颗粒吸附系统、二级颗粒吸附系统和三级颗粒吸附系统，所述一级颗粒吸附系统与二级颗粒吸附系统连接，所述二级颗粒吸附系统与三级颗粒吸附系统连接。本实用新型专利技术采用分级过滤系统，带有冷却系统的一级颗粒吸附系统用于过滤Al原子与N原子之间预反应生成的大颗粒AlN络合物，带有冷却系统的二级颗粒吸附系统用于过滤MOCVD设备中反应生成的其他副产物，三级颗粒吸附系统用于过滤进入主泵尾气，可以改善MOCVD在生长深紫外LED时过滤器过滤能力容易饱和的不足，减少设备维护机时和耗材，提高设备稼动率。提高设备稼动率。提高设备稼动率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统


[0001]本技术属于尾气过滤器
，具体涉及一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统。

技术介绍

[0002]MOCVD设备主要由气体运输系统、生长反应系统、尾气系统、原位监测系统、生长控制系统组成，其中尾气系统起到将反应过程中产生的有毒尾气进行无害化处理，浓度达到规定的排放标准以下的作用。现有MOCVD设备多用于GaN基蓝光LED，尾气处理系统功能较为完善，但如果用于深紫外LED生产，则存在以下不足：
[0003]深紫外LED生长时由于AlGaN材料与蓝宝石衬底晶格常数差异大，需要先在蓝宝石衬底上生长AlN过渡层。相比于GaN材料，AlN材料的生长更为困难，有两点原因，一是Al原子表面迁移率很低，Al
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N键能为2.88eV,远高于Ga
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N键能，所以Al原子在键合后难脱附，在生长过程中所需的原子迁移激活能很高，所以AlN材料外延生长主要表现为三维岛状模板，结晶质量及表面差。二是由于MOCVD使用的Al源(TMAl)在裂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统，其特征在于：包括一级颗粒吸附系统（1）、二级颗粒吸附系统（2）和三级颗粒吸附系统（3），所述一级颗粒吸附系统（1）与二级颗粒吸附系统（2）连接，所述二级颗粒吸附系统（2）与三级颗粒吸附系统（3）连接。2.根据权利要求1所述的一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统，其特征在于：所述一级颗粒吸附系统（1）的一端连接有一级过滤进气口（101），所述一级过滤进气口（101）连接在MOCVD设备的反应室后端，所述一级颗粒吸附系统（1）的另一端连接有一级过滤排气口（102）。3.根据权利要求1所述的一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统，其特征在于：所述二级颗粒吸附系统（2）的一端连接有二级过滤进气口（201），所述二级过滤进气口（201）与一级过滤排气口（102）固定连接，所述二级颗粒吸附系统（2）的另一端连接有二级过滤排气口（202）。4.根据权利要求1所述的一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统，其特征在于：所述三级颗粒吸附系统（3）的一端连接有三级过滤进气口（301），所述三级颗粒吸附系统（3）的另一端连接有三级过滤排气口（302），所述三级过滤进气口（301）与二级过滤排气口（202）固定连接。5.根据权利要求1所述的一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统，其特征在于：所述一级颗粒吸附系统（1）内设置有玻璃纤维滤芯过滤颗粒（103），所述一级颗粒吸附系统（1）的侧壁上缠绕有第一冷却水管（104）。6.根据权利要求5所述的一种用于生长深紫外LED的MOCVD的多级尾气过滤器系统，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾晓龙，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：