一种含有多氟长链的有机化合物及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种含有多氟长链的的有机化合物及其应用。本发明专利技术化合物引入多氟长链，打破分子结构的共轭体系，使材料的吸收光谱蓝移，在可见光无吸收，提高材料在见光区域的的透过率；适宜的氟链长度可使材料保持适宜蒸镀的蒸镀温度，适宜长时间蒸镀而不分解，可加大工业加工窗口，提高材料的热稳定性；由于裸露在外的氟长链使分子具有氟链包裹母核类似球状的空间构型，进而利于形成较低的表面张力，可作为阴极图案化材料使用，能够抑制金属电极的附着沉积，获得OLED器件较高的透过率，可应用于OLED屏下摄像头技术方向，有利于提高OLED屏幕屏下摄像头的透过率。屏幕屏下摄像头的透过率。

【技术实现步骤摘要】
一种含有多氟长链的有机化合物及其应用


[0001]本专利技术属于显示
，涉及一种含有多氟长链的有机化合物及包含其的多层膜结构和OLED光电装置。

技术介绍

[0002]有机电致发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)又称为有机电致发光器件，是一种有机材料在电场作用下，通过载流子注入和复合导致发光的技术，它能够将电能通过有机发光材料转化成光能，包括无源驱动型OLED(PMOLED)和有源驱动型OLED(AMOLED)。OLED是继阴极射线管(CathodeRayTube,CRT)、液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)之后的新一代显示技术。
[0003]OLED的本质是一种薄膜堆积器件。理论上，在阳极和阴极均为透明电极的情况下，发光层发出的光既可以从阳极传播到器件外部又可以从阴极传播到器件外部。因此，根据光传出的路径不同，器件可以分为底发射器件和顶发射器件。
[0004]底发射器件的光从阳极经过衬底传播到器件外部，顶发射器件的光通过阴极传播到器件外部。两种器件由于出光方式的不同，使得它们的应用方式有了天壤之别。如果在主动矩阵结构中使用底发射器件，其发光路径为有机层
‑
阳极
‑
TFT
‑
衬底，TFT为沉积在衬底的网状阵列开关，由于TFT的存在使得器件的开口率进一步降低，出射光传播到此处时会发生反射、散射等被遮挡掉而无法传播到器件外部，严重影响了器件的显示效果。而顶发射器件出光方向在阴极一侧，无需经过衬底，因此也避开了TFT结构，成功避免了底发射器件中会出现的开口率降低问题，使得图像更加细腻清晰，同时色彩鲜艳度也更高。
[0005]在顶发光的有机电致发光器件结构中，传统的阴极材料一般选用非常薄的金属材料，而且基本上都是覆盖整个OLED，这一方案在OLED发展的近30多年来一直保持不变。然而，对于某些新的应用(例如屏下指纹、屏下摄像头和大尺寸面板)，金属材料的选用和蒸镀制备工艺就成了一个技术开发关键。特别是，随着高屏占比手机市场的快速发展，对全面屏手机的需求也越发强烈。而由于传统技术的限制，导致了OLED屏幕上的摄像头无法完全隐藏，由此产生了刘海屏、药丸屏或者水滴屏等屏幕，不仅降低了手机的屏占比，而且极大的影响了视觉体验。新型顶部阴极电极图案化技术应运而生，该技术基于自组装工艺，不仅可以提高OLED面板的透明度，实现屏下摄像头的影藏；
[0006]随着智能手机和平板电脑的发展，OLED屏幕受到了市场的追捧，特别是近期全面屏的普及，对于手机前置屏幕摄像头和传感器的隐藏要求也越发强烈。基于弹出式设计的全面屏手机虽然能解决屏占比的问题，但其来了其他问题，例如，增加了手机厚度、重量和设计成本，降低了手机摄像的可靠性，导致该方案逐渐被市场抛弃。最近，屏下摄像头和屏下指纹技术能够完美的解决上述问题，该技术实际上是透明OLED显示的一个应用，要求屏幕在可见光领域和近红外光领域拥有非常高的透过率。因此，提高屏幕透过率是解决上述问题的核心和关键。
[0007]阴极图案化技术包括阴极图案化材料(CPM)和阴极辅助材料(CEM)，其中CPM材料
是一种低温有机材料，可以采用真空蒸镀沉积的方法应用于OLED器件功能层。CEM是一种金属电极辅助材料，通过真空蒸镀或者溅射方式进行沉积，用于降低OLED面板的面内电阻，增加导电能力。使用精细掩模版(FMM)沉积CPM基本材料以生成图案，然后再使用开放掩模版(Open Mask)沉积阴极用金属材料。这就要求阴极图案化材料(CPM)不仅具备较高的透过率，而且能够有效抑制金属阴极材料(如Mg/Ag)在CPM材料上的沉积。
[0008]随着OLED全面屏的普及，屏下摄像头和屏下指纹技术成为主要技术难题，这就要求屏幕在可见光领域和近红外光领域拥有非常高的透过率。
[0009]为了实现OLED屏幕的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，还需要OLED光电功能材料不断研究和创新，更需要解决屏下摄像头透过率不够的技术难题。因此，寻找抑制金属阴极材料(如Mg/Ag)的高透过率材料作为CPM层应用于OLED屏幕以解决上述问题是本领域长期需求。

技术实现思路

[0010]针对现有技术存在的上述问题，本申请提供了一种含有多氟长链的有机化合物，作为阴极图案化层材料使用时，能够获得较高的透过率。
[0011]本专利技术提供具体技术方案如下：一种含有多氟长链的有机化合物，所述有机化合物具有如通式(1)、通式(2)所示的结构：
[0012][0013]通式(2)中，X1、X2、X3各自独立表示为氟原子或氢原子；X1、X2、X3至少有一个表示为氢原子；
[0014]通式(1)、通式(2)中，A各自独立的表示为式(2)、式(3)或式(4)所示结构；
[0015][0016]通式(1)、通式(2)中，n＝3或6；
[0017]通式(1)、通式(2)中，m＝1、2或3；
[0018]通式(1)、通式(2)中，Ar1各自独立的表示为单键、
[0019]L1表示为
[0020]i＝0或1；j＝0、1、2、3、4、5、6、7或8；k＝0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；
[0021]当A表示为式(2)，Ar1表示为单键时，此时i＝0,对应L1为
[0022]当A表示为式(3)时，Ar1表示为
[0023]当A表示为式(4)时，Ar1表示为
[0024]j+k≥1；优选≥2；优选≥3；
[0025]L2表示单键、
‑
O
‑
、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷氧基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷氧基；L1、L2可以相同或不同。
[0026]所述“取代或未取代”基团的取代基任选自氟原子。
[0027]优选方案，所述有机化合物的结构如通式(I
‑
1)、(I
‑
3)、(I
‑
4)、(I
‑
5)、(I
‑
6)、(I
‑
8)、(I
‑
9)所示：
[0028][0029]L1表示为
[0030]i＝0或1；j＝0、1、2、3、4、5、6、7或8；k＝0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；
[0031]L2表示单键、
‑
O
‑
、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷氧基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷氧基；
[0032]L1、L2可以相同或不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有多氟长链的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有如通式(1)、通式(2)所示的结构：通式(2)中，X1、X2、X3各自独立表示为氟原子或氢原子；X1、X2、X3至少有一个表示为氢原子；通式(1)、通式(2)中，A各自独立的表示为式(2)、式(3)或式(4)所示结构；通式(1)、通式(2)中，n＝3或6；通式(1)、通式(2)中，m＝1、2或3；通式(1)、通式(2)中，Ar1各自独立的表示为单键、L1表示为
‑
(O)
i
‑
(CH2)
j
‑
(CF2)
k
‑
；i＝0或1；j＝0、1、2、3、4、5、6、7或8；k＝0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；当A表示为式(2)，Ar1表示为单键时，此时i＝0,对应L1为
‑
(CH2)
j
‑
(CF2)
k
‑
；当A表示为式(3)时，Ar1表示为当A表示为式(4)时，Ar1表示为j+k≥1；优选≥2；优选≥3；L2表示单键、
‑
O
‑
、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷氧基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷氧基；L1、L2可以相同或不同。所述“取代或未取代”基团的取代基任选自氟原子。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(I
‑
1)、(I
‑
3)、(I
‑
4)、(I
‑
5)、(I
‑
6)、(I
‑
8)、(I
‑
9)所示：
L1表示为
‑
(O)
i
‑
(CH2)
j
‑
(CF2)
k
‑
；i＝0或1；j＝0、1、2、3、4、5、6、7或8；k＝0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；L2表示单键、
‑
O
‑
、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷基、取代或未取代的C1
‑
C20亚烷氧基、取代或未取代的C1
‑
C20亚硅烷氧基；L1、L2可以相同或不同；X1、X2、X3各自独立表示为氟原子或氢原子；X1、X2、X3至少有一个表示为氢原子；通式(I
‑
3)和通式(I
‑
4)、通式(I
‑
8)、通式(I
‑
9)中，q＝2或3。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(III
‑
1)、(III
‑
2)、(III
‑
3)、(III
‑
4)、(III
‑
5)所示：所述a1、b1、c4、d4、e4各自独立的表示为0、1、2、3、4、5、6、7或8；所述a2、b2、c5、d5、e5各自独立的表示为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述c2、d2各自独立的表示为0、1、2、3或4；所述c1、c3、d1、d3、e3各自独立的表示为0或1；所述q独立...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐丹丹，李崇，张兆超，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：