【技术实现步骤摘要】
具有实现晶粒内连接的集成通孔的光学半导体元件
[0001]本申请案主张美国第17/550,337号专利申请案的优先权(即优先权日为“2021年12月14日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种光学半导体元件。特别是有关于一种具有实现晶粒内连接的多个集成通孔的光学半导体元件。
技术介绍
[0003]光学半导体元件使用在不同的电子应用,例如个人电脑、手机、数码相机,或其他电子设备。光学半导体元件的尺寸逐渐地缩减,以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而,在尺寸缩减的制程期间,增加不同的问题,且如此的问题持续增加。因此,仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0004]上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
,并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的,不构成本公开的先前技术,且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
[0005]本公开的一实施例提供一种光学半导体元件,包括一逻辑晶粒,包括一核心电路区以及一逻辑 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光学半导体元件,包括:一逻辑晶粒,包括:一核心电路区以及一逻辑周围电路区;一存储器晶粒,设置在该逻辑晶粒上并包括:一存储器胞区以及一存储器周围区;以及一第一晶粒内通孔,设置在该存储器周围区中且电性连接到该逻辑周围电路区;以及一感测器晶粒,设置在该存储器晶粒上并包括:一感测器像素区以及一感测器周围区;一第一晶粒间通孔,设置在该感测器周围区中且经由该第一晶粒内通孔而电性耦接到该逻辑周围电路区;以及一第二晶粒间通孔,设置在该感测器周围区中;其中该第一晶粒间通孔的一高度大于该第二晶粒间通孔的一高度。2.如权利要求1所述的光学半导体元件,其中该第一晶粒间通孔与该第二晶粒间通孔电性耦接。3.如权利要求1所述的光学半导体元件,其中该第二晶粒间通孔电性连接到该感测器晶粒的一导电线。4.如权利要求1所述的光学半导体元件,其中该第一晶粒间通孔在形貌上对准该第一晶粒内通孔,且直接设置在该第一晶粒内通孔上。5.如权利要求1所述的光学半导体元件,其中该感测器晶粒包括:一介电层,设置在该存储器晶粒上;一基底,设置在该感测器晶粒的该介电层上;以及一感测器单元,设置在该感测器晶粒的该基底中;其中该第一晶粒间通孔沿该感测器晶粒的该基底与该感测器晶粒的该介电层贯穿而设置。6.如权利要求5所述的光学半导体元件,还包括一转移栅极,...
【专利技术属性】
技术研发人员:范倍诚,
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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