一种交流转直流电源制造技术

本发明专利技术公开了一种交流转直流电源，包括盒体和设置在所述盒体内的多个电源模组，电源模组包括交流转直流板和设置在交流转直流板上的主控板；交流转直流板包括整流桥、线性稳压电路和buck降压电路，buck降压电路包括N型MOS管Q1、N型MOS管Q2和电感L，线性稳压电路包括P型MOS管Q3，整流桥的输出端与所述MOS管Q1的漏极D1电性连接，MOS管Q1的源极S1和MOS管Q2的漏极D2均与所述电感L的一端电性连接，MOS管Q2的源极S2接地，电感L的另一端与所述MOS管Q3的源极S3电性连接；主控板包括PWM电路和驱动电路，驱动电路分别与所述MOS管Q1的栅极G1和MOS管Q2的栅极G2电性连接。其能降低交流转直流电源的电能损耗。的电能损耗。的电能损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种交流转直流电源


[0001]本专利技术涉及集成电源领域，尤其涉及一种交流转直流电源。

技术介绍

[0002]随着电子产品的集成化发展，市用交流电转直流电越来越常见，为了更方便得到直流电源，交流转直流电的器件种类也越来越多。
[0003]在交流转直流电时，一般都会用到整流桥，交流电在经过整流桥整流后，会输出波形为正半波形的直流，半波形的直流电的电流时大时小、线性很差也不稳定，所以还需线性稳压电路进行线性调整，但线性稳压电路一般会用到MOS管，而导致直流转交流电源的电能损耗很大。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种交流转直流电源，其能降低交流转直流电源的电能损耗。
[0005]本专利技术的目的采用以下技术方案实现：
[0006]一种交流转直流电源，包括盒体和设置在所述盒体内的多个电源模组，所述电源模组包括交流转直流板和设置在所述交流转直流板上的主控板；
[0007]所述交流转直流板包括整流桥、线性稳压电路和用于降低所述线性稳压电路功耗的buck降压电路，所述buck降压电路包括N型MOS管Q1、N型MOS管Q2和电感L，所述线性稳压电路包括P型MOS管Q3，所述整流桥的输出端与所述MOS管Q1的漏极D1电性连接，所述MOS管Q1的源极S1和所述MOS管Q2的漏极D2均与所述电感L的一端电性连接，所述MOS管Q2的源极S2接地，所述电感L的另一端与所述MOS管Q3的源极S3电性连接，所述MOS管Q3的漏极D3接输出；
[0008]所述主控板包括PWM电路和与所述PWM电路信号连接的驱动电路，所述驱动电路分别与所述MOS管Q1的栅极G1和所述MOS管Q2的栅极G2电性连接。
[0009]优选的，所述线性稳压电路还包括P型MOS管Q4，所述MOS管Q4的源极S4与所述MOS管Q3的源极S3电性连接，所述MOS管Q4的漏极D4与所述MOS管Q3的漏极D3电性连接。
[0010]优选的，所述交流转直流板还包括采样电路，所述采样电路与所述线性稳压电路电性连接，所述主控板还包括检测电路，所述检测电路分别与所述PWM电路和所述采样电路电性连接。
[0011]优选的，所述交流转直流板还包括电容C1、电容C2和电容C3，所述电容C1与所述电感L并联连接，所述电容C2和所述电容C3分别与所述MOS管Q3并联连接。
[0012]优选的，所述电源模组还包括变压器和散热器，所述整流桥贴在所述散热器上，所述散热器垂直于所述交流转直流板上，所述变压器与所述整流桥电性连接。
[0013]优选的，所述主控板与所述交流转直流板垂直连接，所述散热器靠近所述主控板的一侧设置有多个相互平行的波纹槽，所述散热器的侧边设置有风机，所述风机与所述波
纹槽相对设置。
[0014]优选的，所述盒体包括上盖板、底板、前盖板、后盖板、多个线槽和两个侧板，两个侧板之间通过所述线槽固定连接，所述前盖板固定在两个侧板的前端，所述后盖板固定在两个侧板的后端，所述上盖板设置在所述前盖板和所述后盖板的上端，所述底板固定在所述前盖板和所述后盖板的下端，所述交流转直流板设置在所述底板上。
[0015]优选的，所述前盖板上设置有开关、多个旋钮和与所述旋钮电性连接的显示表，所述显示表和所述开关分别与所述主控板电性连接。
[0016]优选的，所述后盖板上设置有通讯接口、风扇和多个电流输出口，所述风扇与所述开关电性连接，所述风扇与所述电源模组电性连接，所述电流输出口与所述线性稳压电路电性连接，所述通讯接口与所述主控板电性连接。
[0017]优选的，所述侧板上设置有通风孔和卡扣，所述上盖板通过所述卡扣与所述侧板可拆卸连接。
[0018]相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0019]本申请的交流转直流电源包括用于降低所述线性稳压电路功耗的buck降压电路，该buck降压电路包括N型MOS管Q1、N型MOS管Q2和电感L，该N型MOS管Q1的源极S1与所述电感L串联，可作为开关，所述MOS管Q2与所述电感L电性连接，可作为续流管，由于所述MOS管Q1输出端(源极S1)的电压小于栅极G1时才导通，所以可以通过所述栅极G1来调节所述MOS管Q1的输出电压，而可以把所述MOS管Q1的输出电压控制在很低地范围内(0
‑
5V)，也就是所述MOS管Q3的输入端(源极S3)的电压低，且所述MOS管Q3的电阻R3一定，MOS管Q3源极S3的电压降低了，其电能损耗(U2t/R3)也降低了。
[0020]另外，所述buck降压电路能通过所述主控板上的PWM电路和驱动电路能使所述buck降压电路长期输出适合所述MOS管Q3导通的电压，减少了所述MOS管Q3的开关损耗，进一步地降低了电能损耗。可以理解地，所述主控板也能控制所述MOS管Q2的导通或关闭，而实现所述buck降压电路是否输出电流给所述线性稳压电压，从而实现自动控制。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的交流转直流电源的立体结构示意图；
[0022]图2为本专利技术的交流转直流电源去掉上盖板后的立体结构示意图；
[0023]图3为本专利技术的交流转直流电源去掉上盖板后另一角度的立体结构示意图；
[0024]图4为本专利技术的电源模组的立体结构示意图；
[0025]图5为本专利技术的交流转直流电源的结构框图；
[0026]图6为本专利技术的交流转直流板的结构框图；
[0027]图7为本专利技术的主控板的结构框图；
[0028]图8为本专利技术的buck降压电路的电路图；
[0029]图9为本专利技术的线性稳压电路的电路图。
[0030]图中：100、交流转直流电源；10、盒体；11、前盖板；111、显示表；112、旋钮；12、侧板；121、通风孔；122、线槽；123、卡扣；13、上盖板；14、后盖板；141、插座；142、风扇；143、电流输出口；144、通讯接口；20、电源模组；30、交流转直流板；31、插接板；32、电容；33、变压器；40、主控板；50、散热器；51、整流桥；52、MOS管；53、风机；54、波纹槽。
具体实施方式
[0031]为了能够更清楚地理解本专利技术的具体技术方案、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。
[0032]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“横向”、“纵向”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]如图1
‑
图9所示，一种交流转直流电源100，包括盒体10和设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交流转直流电源，其特征在于：包括盒体和设置在所述盒体内的多个电源模组，所述电源模组包括交流转直流板和设置在所述交流转直流板上的主控板；所述交流转直流板包括整流桥、线性稳压电路和用于降低所述线性稳压电路功耗的buck降压电路，所述buck降压电路包括N型MOS管Q1、N型MOS管Q2和电感L，所述线性稳压电路包括P型MOS管Q3，所述整流桥的输出端与所述MOS管Q1的漏极D1电性连接，所述MOS管Q1的源极S1和所述MOS管Q2的漏极D2均与所述电感L的一端电性连接，所述MOS管Q2的源极S2接地，所述电感L的另一端与所述MOS管Q3的源极S3电性连接，所述MOS管Q3的漏极D3接输出；所述主控板包括PWM电路和与所述PWM电路信号连接的驱动电路，所述驱动电路分别与所述MOS管Q1的栅极G1和所述MOS管Q2的栅极G2电性连接。2.根据权利要求1所述的交流转直流电源，其特征在于：所述线性稳压电路还包括P型MOS管Q4，所述MOS管Q4的源极S4与所述MOS管Q3的源极S3电性连接，所述MOS管Q4的漏极D4与所述MOS管Q3的漏极D3电性连接。3.根据权利要求2所述的交流转直流电源，其特征在于：所述交流转直流板还包括采样电路，所述采样电路与所述线性稳压电路电性连接，所述主控板还包括检测电路，所述检测电路分别与所述PWM电路和所述采样电路电性连接。4.根据权利要求3所述的交流转直流电源，其特征在于：所述交流转直流板还包括电容C1、电容C2和电容C3，所述电容C1与所述电感L并联连接，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹佶，胡艳伟，徐林峰，
申请(专利权)人：浙江杭可仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：