一种IGBT封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种IGBT封装结构，包括底座、盖子和导热板；所述导热板焊接在所述底座的上端面，所述盖子固定安装在所述底座的上端面并将所述导热板罩住，所述导热板的上端面分别对称焊接有多个芯片和多个铜板，所述芯片焊接有导线，所述导线的另一端与所述铜板焊接，所述铜板的上端面安装有引脚，所述引脚贯穿所述盖子后伸出，所述引脚的上端面安装有触点，所述底座的前端面设有贯穿槽，所述贯穿槽贯穿所述底座的前后两端，所述贯穿槽内安装有多根导热杆，所述导热板的上下两端分别与所述贯穿槽的上下两壁固定连接。本实用新型专利技术通过设置贯穿槽、导热杆和导热板，能通过提升接触面积，提升封装的导热性能，进而提升芯片的使用效果。进而提升芯片的使用效果。进而提升芯片的使用效果。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT封装结构


[0001]本技术涉及IGBT封装
，具体为一种IGBT封装结构。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有(Metal
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Oxide
‑
Semicond uctor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor，GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSF ET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]例如申请号为：202111652104.7的专利，包括：封装壳体，封装壳体适于封装IGBT单元；封装壳体包括：第一壳电极和第二壳电极，第一壳电极和第二壳电极相对设置；壳壁，壳壁呈环状，且围成一容纳空间，容纳空间适于容纳IGBT单元；壳壁设置于第一壳电极和第二壳电极之间，第一壳电极、第二壳电极共同构成封装壳体，且使容纳空间成为封闭空间；泄压孔，泄压孔连通容纳空间和封装壳体的外部空间，泄压孔设置于壳壁和/或第一壳电极，泄压孔朝向容纳空间一侧的开口设置有弹性密封膜，使容纳空间与封装壳体的外部空间隔绝。密封膜受到的应力大于第一阈值时发生破裂，壳壁受到的应力大于第二阈值时发生碎裂，第一阈值小于第二阈值。
[0004]虽然此设计提供的IGBT封装结构，IGBT单元设置在由环形的壳壁和第一电极第二电极构成的容纳空间内，壳壁或第一电极上设置有连通容纳空间的泄压孔，泄压孔的孔口由弹性密封膜密封，弹性密封膜在受到应力大于第一阈值时破裂，壳壁受到应力大于第二阈值时破裂，第一阈值小于第二阈值。如此，一方面由弹性密封膜实现容纳空间与封装壳体外部空间的隔绝，使得正常工作时可隔绝来自外界环境的水氧；另一方面，当IGBT单元迅速放热导致气体快速膨胀时，首先弹性密封膜作为弹性层可缓冲气体膨胀的应力，且气体应力超过第一阈值时，弹性密封膜破裂，膨胀的气体从泄压孔溢出，从而降低容纳空间内的气压，因而壳壁受到的应力不会大于第二阈值，从而不会发生破裂而引发爆炸，实现对IGBT器件的防爆效果。
[0005]但此设计的在改善散热这一功能上还存在需要改善的地方，目前的现有技术在封装后的散热处理上也均有不足之处，改善散热能大大提高芯片的工作性能，进而使产品质量提高。
[0006]本技术的目的在于提供一种IGBT封装结构，以解决上述
技术介绍
中提到的问题。

技术实现思路

[0007]为实现上述目的，本技术提供一种IGBT封装结构，包括底座、盖子和导热板；所述导热板焊接在所述底座的上端面，所述盖子固定安装在所述底座的上端面并将所述导热板罩住，所述导热板的上端面分别对称焊接有多个芯片和多个铜板，所述芯片焊接有导线，所述导线的另一端与所述铜板焊接，所述铜板的上端面安装有引脚，所述引脚贯穿所述盖子后伸出，所述引脚的上端面安装有触点，所述底座的前端面设有贯穿槽，所述贯穿槽贯穿所述底座的前后两端，所述贯穿槽内安装有多根导热杆，所述导热板的上下两端分别与所述贯穿槽的上下两壁固定连接。
[0008]优选的：所述导热板为非金属导热板。
[0009]优选的：所述盖子内设有保护层，所述保护层包裹所述芯片、所述铜板和所述导热板。
[0010]优选的：所述保护层包括硅胶层和环氧树脂层，所述环氧树脂层位于所述硅胶层的上端，所述硅胶层包裹所述芯片、所述铜板和所述导热板。
[0011]优选的：所述盖子与所述底座的接触面设有防漏构件。
[0012]优选的：所述防漏构件包括卡槽和卡块，所述卡块为对称设置，所述卡槽设置在所述底座的下端面，且与所述卡块位置对应。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果为：
[0014]本技术通过设置贯穿槽、导热杆和导热板，能通过提升接触面积，提升封装的导热性能，进而提升芯片的使用效果。
附图说明
[0015]图1为本技术的结构示意图；
[0016]图2为本技术的截面图；
[0017]图3为本技术的a区放大图。
[0018]图中：1、底座；11、贯穿槽；12、导热杆；2、盖子；3、导热板；31、芯片；311、导线；32、铜板；321、引脚；322、触点；4、保护层；41、硅胶层；42、环氧树脂层；5、防漏构件；51、卡槽；52、卡块。
具体实施方式
[0019]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更加全面的描述，附图中给出了本技术的若干实施例，但是本技术可以通过不同的形式来实现，并不限于文本所描述的实施例，相反的，提供这些实施例是为了使对本技术公开的内容更加透彻全面。
[0020]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上也可以存在居中的元件，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件，本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0021]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常连接的含义相同，本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为
了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术，本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0022]以下结合附图对本技术做进一步详细说明。
[0023]实施例一
[0024]请参阅图1－图3，本技术提供一种IGBT封装结构，包括底座1、盖子2和导热板3；所述导热板3焊接在所述底座1的上端面，所述盖子2固定安装在所述底座1的上端面并将所述导热板3罩住，所述导热板3的上端面分别对称焊接有多个芯片31和多个铜板32，所述芯片31焊接有导线311，所述导线311的另一端与所述铜板32焊接，所述铜板32的上端面安装有引脚321，所述引脚321贯穿所述盖子2后伸出，所述引脚321的上端面安装有触点322，所述底座1的前端面设有贯穿槽11，所述贯穿槽11贯穿所述底座1的前后两端，所述贯穿槽11内安装有多根导热杆12，所述导热板3的上下两端分别与所述贯穿槽11的上下两壁固定连接，通过设置贯穿槽11、导热杆12和导热板3，能通过提升接触面积，提升封装的导热性能，进而提升芯片31的使用效果。
[0025]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT封装结构，其特征在于：包括底座(1)、盖子(2)和导热板(3)；所述导热板(3)焊接在所述底座(1)的上端面，所述盖子(2)固定安装在所述底座(1)的上端面并将所述导热板(3)罩住，所述导热板(3)的上端面分别对称焊接有多个芯片(31)和多个铜板(32)，所述芯片(31)焊接有导线(311)，所述导线(311)的另一端与所述铜板(32)焊接，所述铜板(32)的上端面安装有引脚(321)，所述引脚(321)贯穿所述盖子(2)后伸出，所述引脚(321)的上端面安装有触点(322)，所述底座(1)的前端面设有贯穿槽(11)，所述贯穿槽(11)贯穿所述底座(1)的前后两端，所述贯穿槽(11)内安装有多根导热杆(12)，所述导热板(3)的上下两端分别与所述贯穿槽(11)的上下两壁固定连接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT封装结构，其特征在于：所述导热板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆明，花苗，
申请(专利权)人：江苏瑞元半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：