提高SiC材料栅氧界面态质量的方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种提高SiC材料栅氧界面态质量的方法及其应用。所述提高SiC材料栅氧界面态质量的方法包括：1)先对碳化硅材料进行氧化处理，以将位于碳化硅材料表层区域的一部分碳化硅氧化形成氧化硅层；2)对表面形成有氧化硅层的碳化硅材料进行退火处理；3)重复步骤1)、步骤2)两次以上，且使形成的至少两层氧化硅层依次设置并形成一体。本发明专利技术在栅氧化层很薄时即进行退火，此时栅氧化层与碳化硅层界面处的C可以很容易的排出，从而改善了碳化硅与栅氧化层的界面质量，进而提高了碳化硅器件的迁移率。迁移率。迁移率。

【技术实现步骤摘要】
提高SiC材料栅氧界面态质量的方法及其应用


[0001]本专利技术特别涉及一种提高SiC材料栅氧界面态质量的方法及其应用，属于半导体


技术介绍

[0002]相比Si，SiC具有更高的击穿电场，更好地热导率以及更优的耐高温特性，所以在高压器件使用上更具有优势。衬底良率、沟道迁移率以及可靠性是影响SiC器件发展的三个最重要因素。现有工艺是在栅氧生长完成后，再在NO的气氛中进行退火，用来改善栅氧的界面。但此时栅氧厚度相对较厚，残留在界面处的C和O反应生成的CO很难充分排出，从而不能充分改善栅氧的界面，导致迁移率的下降。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种提高SiC材料栅氧界面态质量的方法及其应用，从而克服现有技术中的不足。
[0004]为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：
[0005]本专利技术一方面提供了一种提高SiC材料栅氧界面态质量的方法，包括：
[0006]1)先对碳化硅材料进行氧化处理，以将位于碳化硅材料表层区域的一部分碳化硅氧化形成氧化硅层；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高SiC材料栅氧界面态质量的方法，其特征在于，包括：1)先对碳化硅材料进行氧化处理，以将位于碳化硅材料表层区域的一部分碳化硅氧化形成氧化硅层；2)对表面形成有氧化硅层的碳化硅材料进行退火处理；3)重复步骤1)、步骤2)两次以上，且使形成的至少两层氧化硅层依次层叠并形成一体。2.根据权利要求1所述提高SiC材料栅氧界面态质量的方法，其特征在于，包括：在相同的温度和压强条件下进行所述步骤1)中的氧化处理和所述步骤2)中的退火处理；优选的，在同一设备的反应室内原位进行所述步骤1)中的氧化处理和所述步骤2)中的退火处理。3.根据权利要求1或2所述提高SiC材料栅氧界面态质量的方法，其特征在于：所述氧化处理和退火处理时的温度均为1200
‑
1600℃；优选的，所述氧化处理和退火处理的压强均为10
‑
100Pa。4.根据权利要求1或2所述提高SiC材料栅氧界面态质量的方法，其特征在于，所述步骤1)具体包括：在包含氧气和一氧化氮的混合气氛下进行所述氧化处理，并且，在进行所述氧化处理时，所述混合气氛中氧气的体积含量大于一氧化氮的体积含量；和/或，所述步骤2)具体包括：在包含氧气和一氧化氮的混合气氛下进行所述退火处理，并且，在进行所述退火处理时，所述混合气氛中氧气的体积含量小于一氧化氮的体积含量。5.根据权利要求4所述提高SiC材料栅氧界面态质量的方法，其特征在于：在进行所述氧化处理时，所述氧气和一氧化氮的体积比为(3
‑
6)∶1；和/或，在进行所述退火处理时，所述氧气和一氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩小朋，彭虎，
申请(专利权)人：苏州龙驰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：