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本发明公开了一种提高SiC材料栅氧界面态质量的方法及其应用。所述提高SiC材料栅氧界面态质量的方法包括：1)先对碳化硅材料进行氧化处理，以将位于碳化硅材料表层区域的一部分碳化硅氧化形成氧化硅层；2)对表面形成有氧化硅层的碳化硅材料进行退火处...
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