栅极的制作方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供了一种栅极的制作方法及半导体器件，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有鳍部、伪栅极以及位于所述伪栅极上的第一截止层；形成层间介质层，所述层间介质层填满所述伪栅极之间的间隙并覆盖所述衬底；进行平坦化至暴露出所述第一截止层；依次去除所述第一截止层与所述伪栅极，使得所述层间介质层的顶部呈凸起结构；以及形成金属栅极在所述层间介质层之间。在伪栅极上形成有第一截止层，在后续去除第一截止层之后，能够在伪栅极和层间介质层之间产生高度差，在伪栅极去除时能够使得层间介质层的顶部呈凸起结构，在形成金属栅极时避免了凹陷的产生，从而解决了金属残留的风险。残留的风险。残留的风险。

【技术实现步骤摘要】
栅极的制作方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种栅极的制作方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，传统的平面器件已难以满足人们对高性能器件的需求。鳍式场效应晶体管(Fin
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Field
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Effect
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Transistor，简称FinFET)是一种立体型器件，包括在衬底上垂直形成的鳍以及与鳍相交的高介电常数金属栅极(HKMG)，这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，同时也可以大幅缩短晶体管的闸长。
[0003]在FinFET制造工艺中，经过伪栅极去除和栅极氧化层去除两步工艺步骤时中间介质层的填充氧化物会被损失130埃左右，在栅极侧壁间形成一个凹陷结构，该凹陷结构在后续金属钨研磨工艺时会产生钨残留。钨残留会有电性方面的漏电风险，也会使源漏端金属引线制程的光刻套刻对不准，从而影响制程。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种栅极的制作方法及半导体器件，在去除伪栅极时使中间的层间介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有鳍部、伪栅极以及位于所述伪栅极上的第一截止层；形成层间介质层，所述层间介质层填满所述伪栅极之间的间隙并覆盖所述衬底；进行平坦化至暴露出所述第一截止层；依次去除所述第一截止层与所述伪栅极，使得所述层间介质层的顶部呈凸起结构；以及形成金属栅极在所述层间介质层之间。2.根据权利要求1所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述第一截止层上还形成有第二截止层与第三截止层，所述第一截止层与所述第二截止层的材质不同，所述第二截止层与所述第三截止层的材质不同。3.根据权利要求2所述的栅极的制作方法，其特征在于，进行平坦化至暴露出所述第一截止层的步骤包括：进行第一次平坦化至暴露出所述第三截止层；以所述第三截止层为掩膜进行伪栅极的切断，形成第一凹槽；填充第一隔离材料在所述第一凹槽内，并进行第二次平坦化，至暴露出所述第二截止层；形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层覆盖所述第二截止层；以所述第二硬掩膜层为掩膜进行鳍部的切断，形成第二凹槽；填充第二隔离材料在所述第二凹槽内，并进行第三次平坦化，至暴露出所述第一截止层。4.根据权利要求3所述的栅极的制作方法，其特征在于，以所述第三截止层为掩膜进行伪栅极的切断，形成第一凹槽的步骤包括：形成图形化的第一光刻胶层在所述第三截止层上；以图形化的所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第三截止层，以形成图形化的第三截止层；去除图形化的所述第一光刻胶层；以图形化的所述第三截止层为掩膜，刻蚀所述第二截止层、所述第一截止层与所述伪栅极并停止于所述衬底中，以形成所述第一凹槽。5.根据权利要求4所述的栅极的制作方法，其特征在于，以所述第二硬掩膜层为掩膜进行鳍部的切断，形成第二凹槽的步骤包括：形成图形化的第二光刻胶层在所述第二硬掩膜层上；以图形化的所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二硬掩膜层，以形成图形化的第二硬掩膜层；去除图形化的所述第二光刻胶层；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐长文，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：