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本发明提供了一种栅极的制作方法及半导体器件，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有鳍部、伪栅极以及位于所述伪栅极上的第一截止层；形成层间介质层，所述层间介质层填满所述伪栅极之间的间隙并覆盖所述衬底；进行平坦化至暴露出所述第一截止层；...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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