一种完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法，包括：（1）拉多晶时手动升温5kw，降低埚转至7转；（2）投升温2kw/h，保持1h退出；（3）换热器在原有基础上提升20mm；（4）手动设定目标拉速55mm/h；（5）当完结段拉多晶长度达到长度要求，剩料量＜40kg时按正常停炉工艺处理评审；（6）完结段尾部吊多晶炉台自动停炉；（7）停炉8h后方可冲大气，拆炉取晶体前，晶体上升至软限位，热屏升至上限位；（8）尾部吊多晶取棒时，先用强光手电筒检查晶棒尾部多晶是否存在晶裂；（9）取段时确认晶棒是否倾斜。本发明专利技术减少坩埚底部的留埚量，提高单晶硅棒品质，避免多晶掉落造成异常事故。避免多晶掉落造成异常事故。

【技术实现步骤摘要】
一种完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法


[0001]本专利技术涉及单晶硅拉制
，尤其涉及一种完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法。

技术介绍

[0002]目前，在生产单晶硅直拉法工艺中，其简要过程是先将固体硅料装入石英坩埚中，将炉体密闭后，通入氩气使整个单晶炉内处于真空状态，通过干泵将单晶炉炉内气体及挥发物抽至单晶炉外，主、底加热器将固体硅料料块加热至1420℃左右熔化至硅液，经过调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等工艺工步的循环操作，这其中就涉及完结段单晶断线拉多晶的工艺过程，现行方案多采用将拉速压至55mm/h拉多晶，由于多晶硅棒相较于单晶硅棒而言，其本身结构存在强度小、易断裂等特点，这就会造成单晶断线拉多晶过程中，多晶出现掉落，造成异常事故风险。

技术实现思路

[0003]本专利技术目的就是为了解决现有多晶硅棒强度小、易断裂、拉制品质低导致的取段时易掉落、安全隐患大的问题，提供了一种完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法，可以减少坩埚底部的留埚量，提纯埚底料，减少拉晶成本，提高单晶硅棒品质数据，避免多晶掉落造成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法，具体步骤如下，其特征在于：（一）多晶硅棒拉制阶段：（1）拉多晶时先手动升温5kw，降低埚转至7转；（2）投升温2kw/h，保持1h退出；（3）换热器在原有基础上提升20mm；（4）然后再手动设定目标拉速55mm/h；（5）当完结段拉多晶长度达到长度要求，剩料量＜40kg时按正常停炉工艺处理评审；（6）完结段尾部吊多晶炉台自动停炉；（7）停炉8h后方可冲大气，拆炉取晶体前，晶体上升至软限位，热屏升至上限位；（二）多晶硅棒取棒阶段：（1）尾部吊多晶取棒时，先用强光手电筒检查晶棒尾部多晶是否存在晶裂，若尾部晶裂，处理完毕后取棒，若不存在晶裂则正常取棒；（2）取段时确认晶棒是否倾斜，检查晶棒尾部距离副室下沿是否过近，若倾斜，则需对副室对中进行防护。2.根据权利要求1所述的完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法，其特征在于：所述多晶硅棒拉制阶段中，步骤（1）当剩料量≤70kg时，手动升温6kw，埚转降至5转，其余步骤（2）~（4）均正常执行。3.根据权利要求1或2所述的完结段单晶硅棒断线拉多晶硅棒的工艺方法，其特征在于：所述多晶硅棒取棒阶段的步骤（1）和（2）中，先进行冷却工序，即取棒前30min，将炉盖提起130mm，使得炉盖挡板下沿与主炉膛上沿齐平，保持散热30min，此工序中冷却水管需用隔热手套...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国明，王艺澄，王军磊，
申请(专利权)人：云南美科新能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：