本实用新型专利技术公开一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，涉及碳化硅清洗装置技术领域，主要结构包括超声溢流机构、石英容器和纯水系统；超声溢流机构包括清洗槽和超声波发生器，清洗槽设置于超声波发生器上，清洗槽上部设置有进水口，清洗槽下部设置有下排水口，清洗槽中部设置有溢流口；石英容器设置于清洗槽内，且石英容器的顶部高于溢流口；纯水系统用于向石英容器内提供纯水。本实用新型专利技术中的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，利用纯水将石英容器内的细小的碳化硅颗粒冲出，通过超声波加强清洗，提高了清洗效率；再利用滤布对冲出的碳化硅颗粒进行回收。实现了高程度的自动化清洗，并具有较高的清洗效率。高的清洗效率。高的清洗效率。
【技术实现步骤摘要】
一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置
[0001]本技术涉及碳化硅清洗装置
，特别是涉及一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置。
技术介绍
[0002]碳化硅(SiC)以其禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异特性，成为第三代半导体的热门材料。三代半导体碳化硅(SiC)材料相比于前二代半导体材料具有更耐高温高压、高功率和高频等优势，被广泛应用于5G通信、新能源汽车和光伏逆变器等产业。
[0003]目前主流的方法是采用PVT炉感应加热硅粉和碳粉合成高纯碳化硅颗粒。合成的到的高纯碳化硅块还需要通过破碎、研磨、筛分、除碳和清洗等工序加工后，才能被用作于碳化硅晶锭生长的原料。合成的碳化硅块经过除碳后还存在许多细小的碳化硅粉末，需要经过清洗和烘干才能使用。高纯碳化硅颗粒清洗的办法主要是通过高纯水置换和超声波作用下将细小的碳化硅粉末清洗干净。目前，碳化硅的细小颗粒清洗主要采用人工进行小批量搅拌换水清洗，清洗效率低，不适合大批量规模生产。
技术实现思路
[0004]为解决以上技术问题，本技术提供一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，实现碳化硅颗粒的自动化清洗。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0006]本技术提供一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，包括超声溢流机构、石英容器和纯水系统；所述超声溢流机构包括清洗槽和超声波发生器，所述清洗槽设置于所述超声波发生器上，所述清洗槽上部设置有进水口，所述清洗槽下部设置有下排水口，所述清洗槽中部设置有溢流口；所述石英容器设置于所述清洗槽内，且所述石英容器的顶部高于所述溢流口；所述纯水系统用于向所述石英容器内提供纯水。
[0007]可选地，所述石英容器顶部设置有一溢流缺口。
[0008]可选地，所述清洗槽内底部设置有下滤布，所述下排水口位于所述下滤布下方。
[0009]可选地，所述清洗槽内设置有底座，所述底座用于支撑所述石英容器。
[0010]可选地，所述底座为不锈钢底座。
[0011]可选地，所述清洗槽内设置有多个所述石英容器，所述纯水系统分别为多个所述石英容器供水。
[0012]可选地，所述纯水系统包括调压阀、进水压力表、水管和进水阀门；所述调压阀和所述进水压力表设置于所述水管的进水端，所述进水阀门设置于所述水管的出水端，所述调压阀用于调整进水压力，所述进水阀门用于调节所述水管向所述石英容器的供水流量。
[0013]可选地，所述溢流口上设置有上滤布。
[0014]本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0015]本技术中的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，利用纯水将石英容器内的细小的碳化硅颗粒冲出，通过超声波加强清洗，提高了清洗效率；再利用滤布对冲出的碳化硅颗粒进行回收。实现了高程度的自动化清洗，并具有较高的清洗效率。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术高纯碳化硅颗粒自动清洗装置的结构示意图。
[0018]附图标记说明：1、超声波发生器；2、下排水口；3、下滤布；4、不锈钢底座；5、溢流口；6、上滤布；7、石英容器；8、进水阀门；9、进水压力表；10、调压阀；11、进水口；12、水和碳化硅；13、塑料管。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]如图1所示，本实施例提供一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，包括超声溢流机构、石英容器7和纯水系统；超声溢流机构包括清洗槽和超声波发生器1，清洗槽设置于超声波发生器1上，清洗槽上部设置有进水口11，清洗槽下部设置有下排水口2，清洗槽中部设置有溢流口5；石英容器7设置于清洗槽内，且石英容器7的顶部高于溢流口5；纯水系统用于向石英容器7内提供纯水。
[0021]于本具体实施例中，石英容器7顶部设置有一溢流缺口。纯水系统向石英容器7内提供纯水对石英容器7内的碳化硅颗粒进行冲洗，配合超声波加强清洗作用，提高清洗效率。冲洗的过程中，细小的碳化硅颗粒会跟着水一起从石英容器7顶部的溢流缺口流出。
[0022]清洗槽内底部设置有下滤布3，下排水口2位于下滤布3下方。从石英容器7内流出的细小的碳化硅颗粒被下滤布3回收，多余的水能够从清洗槽中部的溢流口5流出，溢流口5的进水端设置有上滤布6，上滤布6能够防止碳化硅颗粒从溢流口5流出。
[0023]清洗槽内设置有不锈钢底座4，不锈钢底座4用于支撑石英容器7。
[0024]清洗槽内可以设置多个石英容器7，纯水系统包括调压阀10、进水压力表9、水管和进水阀门8；调压阀10和进水压力表9设置于水管的进水端，进水阀门8设置于水管的出水端，调压阀10用于调整进水压力，进水阀门8用于调节水管向石英容器7的供水流量。本具体实施例中，清洗槽内设置有两个石英容器7，纯水系统分别为石英容器7供水，具体的，水管的出水端设置多个分支管路，每个分支管路上设置一进水阀门8，通过控制每个进水阀门8的开启大小，分别对每个石英容器7的进水流量进行控制。
[0025]本具体实施例中，石英容器7采用纯度大于5N的石英制作。
[0026]水管采用塑料管13，调压阀10控制水压0
‑
1.0MPa，进水压力设定为0.2Mpa，进水阀
全开，5
‑
80#碳化硅经过超声溢流冲洗半小时后可以得到水溶液清澈的碳化硅水溶液。
[0027]本技术中的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置工作原理如下：先将高纯的碳化硅颗粒(粒度5
‑
80#)装入高纯石英容器7内；然后通过纯水系统控制水压对碳化硅颗粒进行冲洗，冲洗的过程中细小的碳化硅颗粒会跟着水一起冲石英容器7的溢流口5中流出，流出的小颗粒可以在滤布上回收，多余的水溢过溢流口5则自动排出，并且冲洗的同时超声装置对石英容器7内的水和碳化硅12进行超声波作用，利用超声波空化效应可以起到加强清洗的作用，提高清洗效率；最后超声清洗到水溶液洁净状态，肉眼看不到细小的颗粒为止。该装置通过双溢流设计、超声清洗和冲洗的设计，具备自动化程度高和清洗效率高特点。
[0028]需要说明的是，对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，其特征在于，包括超声溢流机构、石英容器和纯水系统；所述超声溢流机构包括清洗槽和超声波发生器，所述清洗槽设置于所述超声波发生器上，所述清洗槽上部设置有进水口，所述清洗槽下部设置有下排水口，所述清洗槽中部设置有溢流口；所述石英容器设置于所述清洗槽内，且所述石英容器的顶部高于所述溢流口；所述纯水系统用于向所述石英容器内提供纯水。2.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，其特征在于，所述石英容器顶部设置有一溢流缺口。3.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，其特征在于，所述清洗槽内底部设置有下滤布，所述下排水口位于所述下滤布下方。4.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置，其特征在于，所述清洗槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文忠，浩瀚，赵新田，罗烨栋，黄世玺，瞿勇杰，祝真旺，洪志伟，
申请(专利权)人：宁波合盛新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。