一种MOS管预充电路及控制方法技术

本发明专利技术提供一种MOS管预充电路及控制方法，本发明专利技术通过获取电流采样电路的采样电流，根据采样电流确定负载是否需要预充；当负载不需要预充时，基于所述MOS管驱动电路闭合MOS管正常给负载供电；当负载需要预充时，获取采样电流，基于所述采样电流和预设的预充参数确定控制策略，并根据控制策略，基于所述MOS管预充电路对负载进行供电。根据控制策略，基于所述MOS管预充电路，对负载进行分时预充，当预充耗时小于MOS管最大允许预充时间完成预充；当预充耗时大于MOS管最大允许预充时间，根据控制策略，MOS管控电路对负载进行分段预充。本发明专利技术通过简单的控制过程，控制MOS管实现对负载进行供电，解决了目前负载供电方式成本高、安全性差的问题。性差的问题。性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管预充电路及控制方法


[0001]本专利技术涉及电动车
，尤其涉及一种MOS管预充电路及控制方法。

技术介绍

[0002]在新能源汽车中，存在较多的负载，每个负载中均会设置有支撑电容，从几十微法到几千微法不等，当给这些负载供电时，由于电容的特性，导致上电瞬间会有较大的冲击电流，会造成较大的干扰信号，影响负载正常工作。
[0003]目前，对这种情况采用继电器供电的方式解决，但是当继电器承受能力不足时，会造成损伤，从而出现供电故障。为此车辆上均采用较大的继电器来进行供电，常出现30A继电器控制1A负载供电的情况，造成资源的浪费，并且由于继电器本身特性有易损坏、开关次数有限等问题，采用继电器对负载供电存在成本高、安全性差的问题。
[0004]因此，本专利技术提供一种MOS管预充电路及控制方法用于解决现有负载供电方式成本高、安全性差的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种MOS管预充电路及控制方法用于解决现有负载供电方式成本高、安全性差的问题。
[0006]为解决上述问题，第一方面，本专利技术提供一种MOS管预充电路，包括：MOS管控制电路、MOS管驱动电路以及电流采样电路；所述MOS管控制电路、所述MOS管驱动电路以及所述电流采样电路两两电连接；所述电流采样电路与MOS管电连接；所述MOS管驱动电路与MOS管电连接，且所述MOS管与负载电连接；
[0007]所述电流采样电路用于对输出给所述负载的输出电流进行检测，得到采样电流，并生成反馈信号；
[0008]所述MOS管控制电路用于接收所述反馈信号并根据所述反馈信号产生控制信号；
[0009]所述MOS管驱动电路用于接收所述控制信号并根据所述控制信号控制MOS管的开通时长和关闭时长以实现负载的预充。
[0010]在一些可能实现的方式中，所述MOS管驱动电路采用高边开关，和/或，三极管对MOS管进行驱动。
[0011]在一些可能实现的方式中，所述电流采样电路采用高边开关对电流进行采样。
[0012]在一些可能实现的方式中，所述负载为低压控制器。
[0013]另一方面，本专利技术还提供一种MOS管预充电路控制方法，基于上述的一种MOS管预充电路，所述控制方法，包括：
[0014]获取电流采样电路的采样电流，根据采样电流确定负载是否需要预充；
[0015]当负载不需要预充时，基于所述MOS管驱动电路闭合MOS管正常给负载供电；
[0016]当负载需要预充时，获取采样电流，基于所述采样电流和预设的预充参数确定控制策略，并根据控制策略，基于所述MOS管预充电路对负载进行供电。
[0017]在一些可能实现的方式中，根据采样电流确定负载是否需要预充，包括：
[0018]根据采样电流的大小，当采样电流大于设定阈值时，负载需要预充；
[0019]当采样电流小于设定阈值时，负载不需要预充。
[0020]在一些可能实现的方式中，所述预充参数根据采样电流和负载参数所预设，其中，所述预充参数包括MOS管最大允许电流，MOS管允许直接闭合电流，MOS管最大允许预充时间。
[0021]在一些可能实现的方式中，根据控制策略，基于所述MOS管预充电路对负载进行供电，包括：
[0022]根据控制策略，基于所述MOS管预充电路，对负载进行分时预充，当预充耗时小于MOS管最大允许预充时间完成预充；
[0023]当预充耗时大于MOS管最大允许预充时间，根据控制策略，所述MOS管控电路对负载进行分段预充。
[0024]在一些可能实现的方式中，基于所述MOS管预充电路，对负载进行分时预充，包括：
[0025]基于所述MOS管驱动电路接收第一控制信号，逐步减小占空比，当所述采样电流小于MOS管最大允许电流时停止减小占空比，以当前占空比为第一占空比继续预充；
[0026]当所述采样电流大于MOS管允许直接闭合电流时，记录耗时第一预充耗时，当第一预充耗时小于与MOS管最大允许预充时间完成预充。
[0027]在一些可能实现的方式中，根据控制策略，所述MOS管控电路对负载进行分段预充，包括：
[0028]以第一占空比进行预设时长的预充，预设时长的预充完成后按照预设上升比例逐步提高占空比，当采样电流等于MOS管最大允许电流时，停止增加占空比，以当前占空比为第二占空比继续预充；
[0029]当所述采样电流小于MOS管允许直接闭合电流时，记录耗时为第二预充耗时，当第二预充耗时和预设时长之和小于MOS管最大允许预充时间时完成预充；
[0030]当第二预充耗时和预设时长之和大于MOS管最大允许预充时间时，减小预设时长，重新进行分段预充。
[0031]与现有技术相比，本专利技术有益效果包括：本专利技术通过获取电流采样电路的采样电流，根据采样电流确定负载是否需要预充；当负载不需要预充时，基于所述MOS管驱动电路闭合MOS管正常给负载供电；当负载需要预充时，获取采样电流，基于所述采样电流和预设的预充参数确定控制策略，并根据控制策略，基于所述MOS管预充电路对负载进行供电。
[0032]根据控制策略，基于所述MOS管预充电路，对负载进行分时预充，当预充耗时小于MOS管最大允许预充时间完成预充；当预充耗时大于MOS管最大允许预充时间，根据控制策略，所述MOS管控电路对负载进行分段预充。本专利技术通过简单的控制过程，控制MOS管实现对负载进行供电，同时通过电流采样电流对负载的电流进行监测，解决了目前负载供电方式成本高、安全性差的问题。
附图说明
[0033]图1为本专利技术提供的一种MOS管预充电路的一实施例的结构图示意图；
[0034]图2为本专利技术提供的一种MOS管预充电路控制方法一实施例的流程图。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本邻域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本专利技术中使用的流程图示出了根据本专利技术的一些实施例实现的操作。应当理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本邻域技术人员在本
技术实现思路
的指引下，可以向流程图添加一个或多个其他操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。
[0037]附图中所示的一些方框图是功能实体，不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器系统和/或微负载系统中实现这些功能实体。
[0038]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS管预充电路，其特征在于，包括：MOS管控制电路、MOS管驱动电路以及电流采样电路；所述MOS管控制电路、所述MOS管驱动电路以及所述电流采样电路两两电连接；所述电流采样电路与MOS管电连接；所述MOS管驱动电路与MOS管电连接，且所述MOS管与负载电连接；所述电流采样电路用于对输出给所述负载的输出电流进行检测，得到采样电流，并生成反馈信号；所述MOS管控制电路用于接收所述反馈信号并根据所述反馈信号产生控制信号；所述MOS管驱动电路用于接收所述控制信号并根据所述控制信号控制MOS管的开通时长和关闭时长以实现负载的预充。2.根据权利要求1所述的一种MOS管预充电路，其特征在于，所述MOS管驱动电路采用高边开关，和/或，三极管对MOS管进行驱动。3.根据权利要求1所述的一种MOS管预充电路，其特征在于，所述电流采样电路采用高边开关对电流进行采样。4.根据权利要求1所述的一种MOS管预充电路，其特征在于，所述负载为低压控制器。5.一种MOS管预充电路控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1
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4任一项所述的一种MOS管预充电路，所述控制方法包括：获取电流采样电路的采样电流，根据采样电流确定负载是否需要预充；当负载不需要预充时，基于所述MOS管驱动电路闭合MOS管正常给负载供电；当负载需要预充时，获取采样电流，基于所述采样电流和预设的预充参数确定控制策略，并根据控制策略，基于所述MOS管预充电路对负载进行供电。6.根据权利要求5所述的一种MOS管预充电路控制方法，其特征在于，根据采样电流确定负载是否需要预充，包括：根据采样电流的大小，当采样电流大于设定阈值时，负载需要预充；当采样电流小于设定阈值时，负载不需要预充。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚杰，叶权海，牛斌，童翔宇，刘佐明，姜灿，
申请(专利权)人：武汉合智数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：