一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法，包括：对SiC衬底进行标准清洗；在SiC衬底表面淀积掩膜层；在掩膜层上进行光刻形成设定图形的光刻胶；去除光刻胶未覆盖区域的掩膜层，将光刻版的图形转移到掩膜层上；去除光刻胶；对SiC衬底进行干法刻蚀，形成台面或沟槽，刻蚀后保留掩膜层；对SiC衬底上的台面或沟槽的侧壁进行离子注入，根据离子种类选择相应的注入剂量和注入能量，形成所需厚度的非晶层；湿法去除掩膜层；通过湿法腐蚀对非晶层进行腐蚀，形成光滑侧壁；最后对SiC衬底进行后处理清洗，简化了工艺流程，并且可以得到光滑的侧壁。并且可以得到光滑的侧壁。并且可以得到光滑的侧壁。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法。

技术介绍

[0002]在碳化硅功率器件领域，台面和沟槽结构是各类器件的常用结构，但是由于碳化硅材料本身具有高硬度和强化学稳定性，导致选择碳化硅刻蚀工艺时有很大的局限性。目前主要的碳化硅刻蚀方法为干法刻蚀，即通过淀积掩膜层，形成刻蚀图形，再进行碳化硅刻蚀。这种刻蚀方法会对刻蚀台阶的侧壁和底部造成损伤，导致刻蚀表面粗糙等问题。为了改善刻蚀后的表面粗糙，目前主要的解决方案有：调节干法刻蚀的气体种类、气体流量和配比、刻蚀功率等参数；通过湿法药液去除表面微掩膜；通过高温牺牲氧去除表层碳化硅等。
[0003]目前主流的改善刻蚀后表面粗糙的方案中，通过调节干法刻蚀条件的方法由于该工艺涉及的参数变量很多，在实际操作起来需要制定很多实验方案，造成材料和时间成本损失，同时工艺的局限性也很大。通过湿法腐蚀的方法通常只能去除表面氧化层和有机沾污等(该湿法腐蚀指未对碳化硅衬底进行非晶处理，直接使用HF、RC3等溶液经行表面清洗处理；而未经处理的碳化硅衬底具有很强的抗腐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC衬底光滑侧壁的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、对SiC衬底进行标准清洗；步骤2、在SiC衬底表面淀积掩膜层；步骤3、在掩膜层上进行光刻形成设定图形的光刻胶；步骤4、去除光刻胶未覆盖区域的掩膜层，将光刻版的图形转移到掩膜层上；步骤5、去除光刻胶；步骤6、对SiC衬底进行干法刻蚀，形成台面或沟槽，刻蚀后保留掩膜层；步骤7、对SiC衬底上的台面或沟槽的侧壁进行离子注入，根据离子种类选择相应...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋安英，李佳帅，张瑜洁，
申请(专利权)人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：