一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构、制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构、制备方法和应用，所述复合硬掩膜包括第一掩膜层、第二掩膜层，所述第一掩膜层为SiON层，所述第二掩膜层为旋涂硬掩膜层或光致刻蚀剂层，所述SiON层为经等离子体工艺处理的膜层。通过对沉积形成的SiON膜进行后处理，使得到的SiON层的表面亲水性增强，进而提高了SiON层与后续形成的膜层之间的结合力，形成更强的支撑及阻隔作用，有利于形成垂直的图案，提高图案的纵横比及图案的精密性。提高图案的纵横比及图案的精密性。提高图案的纵横比及图案的精密性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构、制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，具体涉及一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构、制备方法和应用。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，通常会在半导体基材上形成图案化的硬掩膜，然后以硬掩膜为阻隔层，沿硬掩膜的图案对半导体基材进行刻蚀形成需要的半导体功能区，最后再去除硬掩膜。
[0003]随着半导体设计尺寸的减小，为了确保得到的半导体元件的性能，对应半导体功能区的结构发生了很大的变化。特别是随着半导体体积的减小以及精密化，在硬掩膜上形成的图案尺寸也在逐渐缩小，图案的精密化程度也就更高，同时也需要更高的纵横比、更加复杂的结构才能实现，对于硬掩膜的性能提出了更高的要求。
[0004]现有的硬掩膜结构已无法满足半导体工艺精密化、高纵横比的要求。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是现有的硬掩膜结构已无法满足半导体工艺精密化、高纵横比的要求，目的在于提供一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构、制备方法和应用，实现了硬掩膜结构在形成图案的工艺中增强本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构，其特征在于，所述复合硬掩膜包括第一掩膜层、第二掩膜层，所述第一掩膜层为SiON层，所述第二掩膜层为旋涂硬掩膜层或光致刻蚀剂层，所述SiON层为经等离子体工艺处理的膜层。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构，其特征在于，所述SiON层为以SiH4与N2O为反应气体形成SiON膜后进行等离子体工艺处理。3.根据权利要求1所述的一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构，其特征在于，所述等离子体工艺处理为氢气等离子体处理。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构，其特征在于，所述第一掩膜层设置在所述第二掩膜层与待刻蚀器件表面之间。5.一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构的制造方法，其特征在于，包括：(1)以SiH4与N2O为反应气体，在He气氛下进行等离子体增强化学气相沉积形成SiON膜；(2)对形成的SiON膜进行等离子体处理形成SiON层作为第一掩膜层；在SiON层上覆盖第二掩膜层。6.根据权利要求5所述的一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构的制造方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金志勳，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：