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本发明公开了一种用于半导体制造的复合硬掩膜结构、制备方法和应用，所述复合硬掩膜包括第一掩膜层、第二掩膜层，所述第一掩膜层为SiON层，所述第二掩膜层为旋涂硬掩膜层或光致刻蚀剂层，所述SiON层为经等离子体工艺处理的膜层。通过对沉积形成的Si...
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