研磨方法技术

本发明专利技术提供一种研磨方法，包括：利用研磨头吸附衬底的背面，进行提速准备；对介质层进行主研磨处理，同时利用钻石研磨盘打磨研磨垫；对剩余厚度的介质层进行过研磨处理，在过研磨处理的过程中，不利用钻石研磨盘打磨研磨垫；对研磨去除介质层之后的半导体结构执行清洗操作。本申请通过在过研磨处理的过程中，不利用钻石研磨盘打磨研磨垫，可以避免研磨垫被打磨过度，从而可以避免研磨垫表面因打磨过度产生大量多余的研磨垫碎屑的情况，从而避免了带负电的研磨垫碎屑和带正电的研磨颗粒发生团聚现象的情况，避免了团聚的晶圆刮伤源的形成，保护了衬垫氧化层、衬底以及浅沟槽隔离结构不被刮伤，保证了晶圆的良率，提高了研磨的有效性和可靠性。有效性和可靠性。有效性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
研磨方法


[0001]本申请涉及化学机械研磨(CMP)
，具体涉及一种研磨方法。

技术介绍

[0002]STI CMP主流工艺方式是选择高选择比的方式，STI CMP主要是研磨去除硬掩模层上的介质层，其中，当研磨去除了大部分介质层时，在研磨垫接触到硬掩模层时，研磨头施加的机械压力保持不变，由于研磨液的特性，对硬掩模层的研磨率已经下降到此时，如果研磨垫上有研磨液团聚或其它异物(例如研磨碎屑)就可能会磨穿硬掩模层，从而对硬掩模层底部的衬垫氧化层、衬底以及衬底中的浅沟槽隔离结构造成刮伤，而严重的宏观大刮伤最终也会造成良率损失和废片。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种研磨方法，可以解决在研磨过程中，当研磨垫接触到硬掩模层时，研磨垫上的研磨液团聚等团聚异物刮伤晶圆的问题。
[0004]一方面，本申请实施例提供了一种研磨方法，所述研磨方法应用于形成有浅沟槽隔离结构的半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底中的间隔设置的浅沟槽隔离结构、覆盖所述衬底正面的衬垫氧化层、覆盖所述衬垫氧化层的硬掩模层和覆盖所述浅沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨方法，其特征在于，所述研磨方法应用于形成有浅沟槽隔离结构的半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底中的间隔设置的浅沟槽隔离结构、覆盖所述衬底正面的衬垫氧化层、覆盖所述衬垫氧化层的硬掩模层和覆盖所述浅沟槽隔离结构以及所述硬掩模层的介质层；所述研磨方法包括：利用研磨装置的研磨头吸附所述衬底的背面，进行提速准备，此时，所述半导体结构倒置以使所述介质层与研磨装置的研磨垫相对；对所述介质层进行主研磨处理以去除一定厚度的所述介质层，同时利用研磨装置的钻石研磨盘打磨所述研磨垫；对剩余厚度的所述介质层进行过研磨处理，在所述过研磨处理的过程中，不利用所述钻石研磨盘打磨所述研磨垫；对研磨去除所述介质层之后的半导体结构执行清洗操作。2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述主研磨处理的时长为50s～150s。3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述过研磨处理的时长为5s～50s。4.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述钻石研磨盘的运动范围大于所述衬底的直径且不超...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：