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本发明提供一种研磨方法，包括：利用研磨头吸附衬底的背面，进行提速准备；对介质层进行主研磨处理，同时利用钻石研磨盘打磨研磨垫；对剩余厚度的介质层进行过研磨处理，在过研磨处理的过程中，不利用钻石研磨盘打磨研磨垫；对研磨去除介质层之后的半导体结构...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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