芯片转移基板、装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种芯片转移基板、装置及方法。该芯片转移基板的表面设有凹槽，所述凹槽在受热前具有第一状态，并在受热后具有第二状态；所述凹槽处于所述第一状态时的尺寸大于待转移芯片的尺寸，所述凹槽处于第二状态时的尺寸小于所述待转移芯片的尺寸。上述芯片转移基板中的凹槽，在受热前具有第一状态，并在受热后具有第二状态，第二状态时凹槽的尺寸小于待转移芯片的尺寸，从而能够夹持位于凹槽内的待转移芯片；上述芯片转移基板，通过改变凹槽的尺寸大小，实现芯片的夹持及释放，无需PDMS即可完成芯片的转移，从而能够降低芯片转移成本，缩短芯片制程；上述芯片转移基板价格低廉，制作时程短，并且能够重复利用，利于后续芯片量产化。量产化。量产化。

【技术实现步骤摘要】
芯片转移基板、装置及方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种芯片转移基板、装置及方法。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro LED)产业技术中，通过先在一生长基板上生长大量微米级的发光二极管芯片，然后将这些发光二极管芯片采用巨量转移技术转移并键合到背板上，完成制成过程。
[0003]目前业界同仁提出许多巨量转移技术,有凡得瓦力技术、激光转移技术、流体转移技术、滚轮压印技术、静电转移技术及磁性转移技术等等,各有其优缺点。其中，以凡得瓦力技术(印章式)为目前最可行之方法,因其具备高稳定性、良率高等优势,逐渐成为现阶段最主流技术之一。
[0004]然而,凡得瓦力技术需使用PDMS(聚二甲基硅氧烷)材料,此材料不仅价格高昂,且大部分的原物料皆掌控于国外厂商之手,交货期程非常长。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移基板、装置及方法，旨在解决如何无需PDMS实现芯片转移的问题。
[0006]本申请基于一些实施方式，提供一种芯片转移基板，其特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移基板，其特征在于，所述芯片转移基板的表面设有凹槽，所述凹槽在受热前具有第一状态，并在受热后具有第二状态；所述凹槽处于所述第一状态时的尺寸大于待转移芯片的尺寸，所述凹槽处于第二状态时的尺寸小于所述待转移芯片的尺寸。2.如权利要求1所述的芯片转移基板，其特征在于，所述凹槽的数量为多个，多个所述凹槽于所述芯片转移基板的表面呈阵列排布。3.如权利要求1或2所述的芯片转移基板，其特征在于，所述芯片转移基板包括：基板主体，所述基板主体的表面设有初始凹槽；热胀冷缩材料层，至少位于所述初始凹槽的侧壁，以形成所述凹槽。4.如权利要求3所述的芯片转移基板，其特征在于，所述基板主体内具有容纳腔；所述芯片转移基板还包括内衬温度传导片，所述内衬温度传导片位于所述容纳腔内，且与所述基板主体相接触。5.如权利要求4所述的芯片转移基板，其特征在于，所述内衬温度传导片邻近所述凹槽的表面设有凸条，所述凸条与所述凹槽对应设置。6.如权利要求5所述的芯片转移基板，其特征在于，所述基板主体包括硅基板主体，所述热胀冷缩材料层包括金属层，所述内衬温度传导片包括金属片，所述凸条包括金属凸条。7.一种芯片转移装置，其特征在于，包括：如权利要求1至6中任一项所述的芯片转移基板；控温系统装置，在使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧俊龙，印朝维，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：