引线框架的瑕疵检测方法技术

技术编号:37854110 阅读:13 留言:0更新日期:2023-06-14 22:46
一种引线框架的瑕疵检测方法,包括:提供标准模板图像、初始偏差范围和n个引线框架,所述n是自然数;基于所述标准模板图像、初始偏差范围和n个引线框架进行若干次偏差范围迭代调试,获取第一偏差范围。所述方法能够减少生产过程中,引线框架瑕疵检测时误报的瑕疵,改善对于良品的引线框架的过杀情况,提高设备检测速度、生产效率和良品率。生产效率和良品率。生产效率和良品率。

【技术实现步骤摘要】
引线框架的瑕疵检测方法


[0001]本专利技术涉及引线框架检测
,尤其涉及一种引线框架的瑕疵检测方法。

技术介绍

[0002]引线框架作为很多集成电路的芯片载体,其质量是否可靠稳定决定了后续最终半导体产品的功能和性能,因此在实际生产过程中需要对引线框架物料进行质量检查。
[0003]常规的引线框架检测设备对输入的引线框架物料进行瑕疵(defect)检查,然后根据瑕疵检查的结果,判断引线框架的出货分类:危害程度较高的直接报废,危害程度低或不影响功能的判断为良品。
[0004]现有技术中,通常利用光学平台采集量产的引线框架的源图像,并且,基于一个较为严格的偏差标准,将引线框架的源图像与标准模板图像进行比对,以对量产的引线框架进行瑕疵(defect)检测。
[0005]然而,由于采集引线框架的源图像时发生的反光、引线框架本身的片纹、材质等等原因,会导致良品的引线框架的源图像与标准模板图像之间的差异超出偏差标准,使得瑕疵检测中出现大量误报的瑕疵,从而,造成对良品的引线框架的过杀,设备检测速度、生产效率、良品率也较低。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种引线框架的瑕疵检测方法,减少生产过程中,引线框架瑕疵检测时误报的瑕疵,改善对于良品的引线框架的过杀情况,提高设备检测速度、生产效率和良品率。
[0007]为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案提供一种引线框架的瑕疵检测方法,包括:提供标准模板图像、初始偏差范围和n个引线框架,所述n是自然数;基于所述标准模板图像、初始偏差范围和n个引线框架进行若干次偏差范围迭代调试,获取第一偏差范围,且第n次偏差范围迭代调试的方法包括:根据第n个引线框架,获取与所述标准模板图像对应的第n源图像;根据所述第n源图像、标准模板图像和第n

1次的第一偏差范围检测第n瑕疵,获取与每个第n瑕疵对应的第n瑕疵数据,且当n=1时,所述第n

1次的第一偏差范围为所述初始偏差范围;根据若干第n瑕疵数据,获取第n瑕疵误报率;当所述第n瑕疵误报率大于预设误报率时,根据误报的若干第n瑕疵对应的若干第n瑕疵数据和预设放宽参数,对所述第n

1次的第一偏差范围进行扩大以生成第n次的第一偏差范围。
[0008]可选的,所述第n次偏差范围迭代调试的方法还包括:当所述第n瑕疵误报率小于或等于预设误报率时,以第n

1次的第一偏差范围作为第n次的第一偏差范围。
[0009]可选的,所述第n次偏差范围迭代调试的方法还包括:当所述第n瑕疵误报率小于或等于预设误报率时,在生成第n次的第一偏差范围后,结束所述偏差范围迭代调试。
[0010]可选的,所述第n次偏差范围迭代调试的方法还包括:当n次偏差范围迭代调试到达预设次数时,在生成第n次的第一偏差范围后,结束所述偏差范围迭代调试。
[0011]可选的,所述标准模板图像包括相互独立的若干标准区,所述第n

1次的第一偏差范围包括与若干标准区一一对应的若干区偏差范围。
[0012]可选的,所述若干标准区包括电镀及关键区、半蚀刻区、功能区、低阈值区和非功能区中的至少一者。
[0013]可选的,所述预设放宽参数包括与若干标准区一一对应的若干区域放宽参数。
[0014]可选的,与任意第n瑕疵对应的第n瑕疵数据至少包括第n位置信息;所述根据误报的若干第n瑕疵对应的若干第n瑕疵数据和预设放宽参数,对所述第n

1次的第一偏差范围进行扩大的方法包括:根据误报的若干第n位置信息中的部分或全部,在若干标准区中获取对应的若干指定标准区,所述指定标准区内具有与误报的第n位置信息对应的位置信息;根据每个指定标准区对应的区域放宽参数,扩大每个指定标准区所对应的第n

1次的区偏差范围,以生成与每个指定标准区对应的第n次的区偏差范围。
[0015]可选的,所述预设放宽参数包括用于部分扩大所述区偏差范围的个体放宽参数;与任意第n瑕疵对应的第n瑕疵数据包括:对应的第n位置信息和第n瑕疵图像;所述根据误报的若干第n瑕疵对应的若干第n瑕疵数据和预设放宽参数,扩大所述第n

1次的第一偏差范围的方法包括:根据误报的若干第n位置信息和误报的若干第n瑕疵图像中的部分或全部,在第n源图像中获取包含误报的若干第n瑕疵图像的若干第n瑕疵区;根据若干第n瑕疵区,在若干标准区内获取对应的若干第n瑕疵区域,且任意第n瑕疵区域所在标准区对应的第n

1次的区偏差范围包括:与所述任意第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围;根据个体放宽参数,扩大每个第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围以生成对应的第n次的区偏差范围。
[0016]可选的,根据个体放宽参数,扩大每个第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围的方法包括:进行若干次误报接收步骤,且每次误报接收步骤的方法包括:根据所述个体放宽参数,扩大1个第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围。
[0017]可选的,根据个体放宽参数,扩大每个第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围的方法包括:根据所述个体放宽参数,单次扩大全部第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围。
[0018]可选的,所述预设放宽参数还包括用于部分扩大所述区偏差范围的个体放宽参数;与任意第n瑕疵对应的第n瑕疵数据包括:对应的第n位置信息和第n瑕疵图像;所述根据误报的若干第n瑕疵对应的第n瑕疵数据和预设放宽参数,扩大所述第n

1次的第一偏差范围的方法包括:根据误报的若干第n瑕疵数据,获取对应的若干第n误报瑕疵类型;根据误报的若干第n位置信息、误报的若干第n瑕疵图像和若干第n误报瑕疵类型,在误报的若干第n瑕疵图像中获取若干指定第n瑕疵图像;基于任意指定第n瑕疵图像对应的第n误报瑕疵类型,判断根据所述区域放宽参数或者个体放宽参数,对所述任意指定第n瑕疵图像对应的标准区所对应的第n

1次的区偏差范围进行扩大。
[0019]可选的,根据所述区域放宽参数,对所述任意指定第n瑕疵图像对应的标准区所对应的第n

1次的区偏差范围进行扩大的方法包括:根据所述任意指定第n瑕疵图像对应的第n位置信息,在若干标准区中获取指定标准区,所述指定标准区内具有与该第n位置信息对应的位置信息;根据所述指定标准区对应的区域放宽参数,扩大所述指定标准区所对应的第n

1次的区偏差范围。
[0020]可选的,根据所述个体放宽参数,对所述任意指定第n瑕疵图像对应的标准区所对应的第n

1次的区偏差范围进行扩大的方法包括:根据所述任意指定第n瑕疵图像及对应的第n位置信息,在第n源图像中获取包含所述任意指定第n瑕疵图像的第n瑕疵区;根据所述第n瑕疵区,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,包括:提供标准模板图像、初始偏差范围和n个引线框架,所述n是自然数;基于所述标准模板图像、初始偏差范围和n个引线框架进行若干次偏差范围迭代调试,获取第一偏差范围,且第n次偏差范围迭代调试的方法包括:根据第n个引线框架,获取与所述标准模板图像对应的第n源图像;根据所述第n源图像、标准模板图像和第n

1次的第一偏差范围检测第n瑕疵,获取与每个第n瑕疵对应的第n瑕疵数据,且当n=1时,所述第n

1次的第一偏差范围为所述初始偏差范围;根据若干第n瑕疵数据,获取第n瑕疵误报率;当所述第n瑕疵误报率大于预设误报率时,根据误报的若干第n瑕疵对应的若干第n瑕疵数据和预设放宽参数,对所述第n

1次的第一偏差范围进行扩大以生成第n次的第一偏差范围。2.如权利要求1所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,所述第n次偏差范围迭代调试的方法还包括:当所述第n瑕疵误报率小于或等于预设误报率时,以第n

1次的第一偏差范围作为第n次的第一偏差范围。3.如权利要求2所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,所述第n次偏差范围迭代调试的方法还包括:当所述第n瑕疵误报率小于或等于预设误报率时,在生成第n次的第一偏差范围后,结束所述偏差范围迭代调试。4.如权利要求1或2所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,所述第n次偏差范围迭代调试的方法还包括:当n次偏差范围迭代调试到达预设次数时,在生成第n次的第一偏差范围后,结束所述偏差范围迭代调试。5.如权利要求1所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,所述标准模板图像包括相互独立的若干标准区,所述第n

1次的第一偏差范围包括与若干标准区一一对应的若干区偏差范围。6.如权利要求5所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,所述若干标准区包括电镀及关键区、半蚀刻区、功能区、低阈值区和非功能区中的至少一者。7.如权利要求5所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,所述预设放宽参数包括与若干标准区一一对应的若干区域放宽参数。8.如权利要求7所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,与任意第n瑕疵对应的第n瑕疵数据至少包括第n位置信息;所述根据误报的若干第n瑕疵对应的若干第n瑕疵数据和预设放宽参数,对所述第n

1次的第一偏差范围进行扩大的方法包括:根据误报的若干第n位置信息中的部分或全部,在若干标准区中获取对应的若干指定标准区,所述指定标准区内具有与误报的第n位置信息对应的位置信息;根据每个指定标准区对应的区域放宽参数,扩大每个指定标准区所对应的第n

1次的区偏差范围,以生成与每个指定标准区对应的第n次的区偏差范围。9.如权利要求5所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,所述预设放宽参数包括用于部分扩大所述区偏差范围的个体放宽参数;与任意第n瑕疵对应的第n瑕疵数据包括:对应的第n位置信息和第n瑕疵图像;所述根据误报的若干第n瑕疵对应的若干第n瑕疵数据和预设放宽参数,扩大所述第n

1次的第一偏差范围的方法包括:根据误报的若干第n位置信息和误报的若干第n瑕疵图像中的部分或全部,在第n源图像中获取包含误报的若干第n瑕疵图像的若干第n瑕疵区;根据若干第n瑕疵区,在若干标准区内获取对应的若干第n瑕疵区域,且任意第n瑕疵区域所在标准区对应的第n

1次的区偏差范围包括:与所述任意第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围;根据个体放宽参数,扩大每个第n瑕疵区域对应的第n

1次的子区偏差范围以生成对应的第n次的区偏差范围。10.如权利要求9所述的引线框架的瑕疵检测方法,其特征在于,根据个体放宽参数,扩大...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩浩温明何志聪陈达志
申请(专利权)人:先进半导体材料深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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