一种切片背接触电池及其制备方法技术

本发明专利技术属于切片电池技术领域，具体涉及一种切片背接触电池及其制备方法，包括以下步骤：S101、在硅片的背面沉积第一半导体层；S102、在所述第一半导体层外继续沉积半导体掩膜层；S103、在S102所得背面上开设第二半导体开口区，以裸露相应区域的硅片；S104、对S103所得半成品进行两遍式切割；S105、对S104所得硅片切割截面进行等离子处理；S106、之后对S105所得半成品进行清洗、制绒；S107、然后在S106所得半成品的背面沉积第二半导体层。本发明专利技术切片背接触电池的制备方法能在尽量不增加制作成本的同时，保证电池转换效率，且提高生产良率。且提高生产良率。且提高生产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种切片背接触电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于切片电池
，具体涉及一种切片背接触电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]切片电池即将一片电池片分成若干片电池，从而降低电池的短路电流，进而减小电池及其模组的功损，最终提升电池及模组的转换效率。
[0003]现有的切片电池片，基本是所有流程都制作完后再切割成半片，这样切割后的电池效率一般比切割前的转换效率低0.1%
‑
0.5%，最终影响电池组件效率和发电量。现有的切片电池片，其流程也有在电池制作的开始，就将硅片一分为二进行半片生产，这样将降低生产效率，生产良率低，原本的产能将降低50%；同时原有的设备工装都需更新替换，增加投入成本。
[0004]CN109545886B公开一种半片多晶太阳电池的制备方法，该专利提到电池制作完成后，再引入增加了钝化处理，对电池片中的杂质与缺陷进行钝化，减小硅片体内的复合，提高电池的效率，但无形中增加工序步骤，增加制作成本，可能导致破坏率或不良率增加0.5%
‑
1%，即生产良率降低。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切片背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S101、在硅片的背面沉积第一半导体层；S102、在所述第一半导体层外继续沉积半导体掩膜层；S103、在S102所得背面上开设第二半导体开口区，以裸露相应区域的硅片；S104、对S103所得半成品进行两遍式切割；S105、对S104所得硅片切割截面进行等离子处理；S106、之后对S105所得半成品进行清洗、制绒；S107、然后在S106所得半成品的背面沉积第二半导体层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S104中所述切割采用激光切割方式或者机械切割方式。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述激光切割方式包括两遍式切割，其中第一遍切割采用紫外脉冲式激光连续扫描，所用激光经空间整形为平顶激光光斑，相邻光斑与光斑之间相互交叠率在0
‑
60%之间；第二遍切割采用绿光脉冲式激光连续扫描，所用激光为圆形高斯激光，相邻光斑与光斑之间相互交叠率在30%
‑
60%之间。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一遍切割中紫外脉冲式激光连续扫描的脉冲宽度为10
‑
30皮秒，第一遍切割所用激光在硅片上形成的光斑为方形；第二遍切割中绿光脉冲式激光连续扫描的脉冲宽度为15
‑
45纳秒，第二遍切割所用激光在硅片上形成的光斑为圆形。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S104中从半成品的背面或正面进行所述切割。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S105中所述等离子处理的方式采用大气等离子体处理、板式等离子体增强化学气相沉积或管式等离子体增强化学气相沉积。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述大气等离子体处理的条件包括：控制大气等离子体的喷头在硅片切割截面处理的移动速度为0.1
‑
3cm/s，大气等离子体喷气口的气体流量为5
‑
15mL/min，喷气口与硅片切割截面的间距为10
‑
30mm，射...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：