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本发明属于切片电池技术领域，具体涉及一种切片背接触电池及其制备方法，包括以下步骤：S101、在硅片的背面沉积第一半导体层；S102、在所述第一半导体层外继续沉积半导体掩膜层；S103、在S102所得背面上开设第二半导体开口区，以裸露相应区域...
该专利属于金阳（泉州）新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过金阳（泉州）新能源科技有限公司授权不得商用。

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