太阳电池回刻残金属的改善方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳电池回刻残金属的改善方法，包括以下步骤：在太阳电池前驱体中的透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层；在所述金属种子层上制备光刻胶层；对所述光刻胶层依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层，其中，所述光刻胶层具有开槽，且部分所述金属种子层暴露于所述开槽，将暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第一金属种子部，并将未暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第二金属种子部；采用电镀工艺在所述第一金属种子部上制备镀铜层，得到太阳电池中间体；采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层；使用碱性溶液去除所述图形化光刻胶；以及使用回刻液去除所述第二金属种子部。本发明专利技术能够提高太阳电池的外观和转换效率。观和转换效率。观和转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池回刻残金属的改善方法


[0001]本专利技术涉及太阳电池
，特别是涉及一种太阳电池回刻残金属的改善方法。

技术介绍

[0002]在太阳电池，如异质结太阳电池的制备过程中，通常需要在透明导电氧化物薄膜(TCO)上制备金属种子层，如铜种子层、并通过图形化感光胶在铜种子层上依次制备镀铜层和镀锡层，后续再使用回刻液去除未被镀铜层覆盖的铜种子层，从而制备得到电极。
[0003]然而，在使用回刻液去除未被镀铜层覆盖的铜种子层后，有时会残留铜种子层(简称残铜)，即回刻液未完全去除未被镀铜层覆盖的铜种子层，这不仅会影响后续制备的异质结太阳电池的外观，同时也会降低后续制备的异质结太阳电池的转换效率。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种太阳电池回刻残金属的改善方法，以提高后续制备的太阳电池的外观和转换效率。
[0005]本专利技术提供了一种太阳电池回刻残金属的改善方法，包括以下步骤：
[0006]在太阳电池前驱体中的透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层；
[0007]在所述金属种子层上制备光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，包括以下步骤：在太阳电池前驱体中的透明导电氧化物薄膜上制备金属种子层；在所述金属种子层上制备光刻胶层；对所述光刻胶层依次进行曝光、显影，得到图形化光刻胶层，其中，所述光刻胶层具有开槽，且部分所述金属种子层暴露于所述开槽，将暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第一金属种子部，并将未暴露于所述开槽的所述金属种子层定义为第二金属种子部；采用电镀工艺在所述第一金属种子部上制备镀铜层，得到太阳电池中间体；采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层；使用碱性溶液去除所述图形化光刻胶；以及使用回刻液去除所述第二金属种子部；其中，采用电镀工艺在所述镀铜层上制备镀锡层具体包括以下步骤：对所述太阳电池中间体进行第一步电镀，并控制所述第一步电镀时的电流密度为9～11A/dm2；对第一步电镀后的所述太阳电池中间体进行第二步电镀，并控制所述第二步电镀时的电流密度为6～8A/dm2；以及对第二步电镀后的所述太阳电池中间体进行第三步电镀，并控制所述第三步电镀时的电流密度为1～2A/dm2。2.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，所述改善方法包括以下(1)～(3)中的至少一项：(1)所述第一步电镀的时间为20～30s；(2)所述第二步电镀的时间为70～80s；(3)所述第三步电镀的时间为100～120s。3.如权利要求1所述的太阳电池回刻残金属的改善方法，其特征在于，在制备所述镀锡层之后，且在去除所述图形化光刻胶之前，所述改善方法还包括以下步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭忠军，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：