一种碲镉汞界面缺陷的分析方法技术

本发明专利技术涉及制冷红外探测器领域，提供一种碲镉汞界面缺陷的分析方法，步骤包括：S1、提供一待测件，待测件包括：依次设置的碲锌镉衬底、碲镉汞外延以及基片；S2、对碲锌镉衬底进行减薄或/和抛光处理；S3、采用第一腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀以去除步骤S2造成的加工损伤；S4、采用X射线衍射形貌术测试碲锌镉衬底表面缺陷的形貌与位置；S5、采用第二腐蚀液去除碲锌镉衬底，记录碲镉汞外延腐蚀坑的形貌与位置；S6、比较碲锌镉衬底表面缺陷以及碲镉汞外延腐蚀坑的形貌与位置，即可进行后续分析；本发明专利技术利用X射线衍射形貌术可以对整个晶片的界面进行准确分析，解决了外延生长过程中回熔导致衬底表层缺陷与界面缺陷无法对应的问题。致衬底表层缺陷与界面缺陷无法对应的问题。致衬底表层缺陷与界面缺陷无法对应的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种碲镉汞界面缺陷的分析方法


[0001]本专利技术涉及制冷红外探测器领域，尤其涉及一种碲镉汞界面缺陷的分析方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，通常通过分析液相外延(LPE)外延前后，碲锌镉衬底表面与碲镉汞外延表面缺陷的对应关系，来分析衬底对外延的影响，常用方法为在LEP外延生长后，将衬底全部去除，在外延表面缺陷处划片或减薄，然后用扫描电子显微镜或透射电子显微镜进行分析；然而外延生长过程中回熔会导致衬底表层缺陷并不能很好地与界面缺陷对应，进而导致外延前后表面比较以及去衬底完全去除后得到的结果不准确，电子显微镜虽能表征截面界面处的缺陷，但只局限于截面，不能对整个表面进行分析。
[0003]因此，亟需一种能准确分析碲镉汞界面缺陷且能对整个表面进行分析的方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是针对现有技术中的不足，提供一种碲镉汞界面缺陷的分析方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：
[0006]提供一种碲镉汞界面缺陷的分析方法，步骤包括：
[0007]S1、提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞界面缺陷的分析方法，其特征在于，步骤包括：S1、提供一待测件，所述待测件包括：依次设置的碲锌镉衬底、碲镉汞外延以及基片；S2、对所述碲锌镉衬底进行减薄或/和抛光处理；S3、采用第一腐蚀液对所述碲锌镉衬底进行腐蚀以去除步骤S2造成的加工损伤；S4、采用X射线衍射形貌术测试所述碲锌镉衬底表面缺陷的形貌与位置；S5、采用第二腐蚀液去除所述碲锌镉衬底，记录所述碲镉汞外延腐蚀坑的形貌与位置；S6、比较所述碲锌镉衬底表面缺陷以及所述碲镉汞外延腐蚀坑的形貌与位置，即可进行后续分析。2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，步骤S1中，所述基片选自硅片、玻璃片、蓝宝石、金刚石或聚四氟乙烯片中的至少一种。3.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，步骤S1还包括：采用胶粘剂将生长有所述碲镉汞外延的所述碲锌镉衬底固定于所述基片。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭杰，杜宇，彭成盼，徐健，何鑫，周进，魏召，
申请(专利权)人：浙江珏芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：