【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用平行扫描FIB均匀铣削相邻材料
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请主张2020年7月1日提交的美国申请案第16/919,013号的优先权。本申请的公开内容出于所有目的以引用方式整体并入于本文。
技术介绍
[0003]在研究电子材料和将这种材料制造成电子结构的工艺中，电子结构的样品可用于微观检查，以进行故障分析和组件验证。例如，可用聚焦离子束(focused ion beam；FIB)铣削和分析包括一个或多个集成电路(integrated circuit；IC)或形成在上面的其他电子结构的样品，诸如如硅晶片，以研究晶片上形成的电路或其他结构的具体特性。
[0004]在某些情况下，待铣削的样品可包括样品上具有不同铣削速率的两个或更多个不同区域。不同的铣削速率可以是各种不同因子的结果，这些不同因子诸如不同区域中沉积或以其他方式存在的不同材料、自相同材料在不同区域中形成的不同几何形状、相同材料的不同晶体方向或不同材料、不同定向和/或不同几何形状的组合。
[0005]移除一个或多个选定层以分析或研究由多层形成...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种评估样品的区域的方法，所述样品的所述区域包括具有第一铣削速率的第一子区域，和与所述第一子区域相邻的具有不同于所述第一铣削速率的第二铣削速率的第二子区域，所述方法包括以下步骤：借由在所述区域之上多次迭代扫描聚焦离子束来铣削所述区域，以将所述区域蚀刻到期望深度，其中每次所述聚焦离子束在所述区域之上被扫描时，所述束以第一扫描速率在第一子区域之上被扫描，且随后所述束以不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率在所述第二子区域之上被扫描。2.如权利要求1所述的评估区域的方法，其中选择所述第一扫描速率和所述第二扫描速率，以使得所述铣削步骤在所述多次迭代中将所述第一子区域和所述第二子区域蚀刻到所述相同的期望深度。3.如权利要求1所述的评估区域的方法，其中：所述区域进一步包括第三子区域，所述第三子区域与所述第一子区域或所述第二子区域中的至少一者相邻，并且具有不同于所述第一铣削速率和所述第二铣削速率的每一者的第三铣削速率；每次在所述铣削步骤中所述聚焦离子束在所述区域之上被扫描时，所述束进一步以不同于所述第一扫描速率和所述第二扫描速率的第三扫描速率在所述第三子区域之上被扫描；和其中选择所述第一扫描速率、所述第二扫描速率和所述第三扫描速率，以使得所述铣削步骤在所述多次迭代中将所述第一子区域、所述第二子区域和所述第三子区域中的每一者蚀刻到所述相同的期望深度。4.如权利要求1所述的评估区域的方法，其中所述铣削步骤的每次迭代从所述第一子区域和所述第二子区域中的每一者移除约一个或更少的原子层材料。5.如权利要求1所述的评估区域的方法，其中所述铣削步骤被重复至少数千次，以将所述区域铣削到所述期望深度。6.如权利要求1所述的评估区域的方法，其中所述第一子区域包括第一几何形状，且所述第二子区域包括不同于所述第一几何形状的第二几何形状。7.如权利要求1至6中任一项所述的评估区域的方法，其中所述第一铣削速率快于所述第二铣削速率，且所述第一扫描速率快于所述第二扫描速率。8.一种用于评估样品的区域的系统，所述样品的所述区域包括具有第一铣削速率的第一子区域，和与所述第一子区域相邻的具有不同于所述第一铣削速率的第二铣削速率的第二子区域，所述系统包括：真空腔室；样品支撑件，构造为在样品评估过程中将样品保持在所述真空腔室中；聚焦离子束(FIB)柱，构造为将带电粒子束导入所述真空腔室；处理器和耦合到所述处理器的存储器，所述存储器包括多个计算机可读指令，当所述指令由所述处理器执行时，使得所述系统借由在所述区域之上多次迭代扫描聚焦离子束，来铣削所述区域，以将所述区域蚀刻到期望深度，其中每次在所述区域之上扫描所述聚焦离子束时，以第一扫描速率在第一子区域之上扫描所述束，且随后以不同于所述第一扫描速率的第二扫描速率在所述第二子区域之上扫描所述束。
9.如权利要求8所述的系统，其中选择所述第一扫描速率和所述第二扫描速率，以使得所述系统在所述多次迭代中，将所述第一子区域和所述第二子区域铣削到所述相同的期望深度。10.如权利要求8所述的系统，其中：所述区域进一步包括第三子区域，所述第三子区域与所述第一子区域或所述第二子区域中的至少一者...
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