选通管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种选通管，包括顶层电极、中间层和底层电极，其中，所述顶层电极、所述中间层和所述底层电极从上到下排序，所述中间层的材料为铌钽氧化物。本发明专利技术公开的一种选通管及其制造方法，能够有效降低形成电压，且有效降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
选通管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种选通管及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着存储器技术的发展，对存储器的密度及可微缩性提出了更高的要求，交叉点型的RRAM具有高的存储密度以及出色的可微缩性，是存储器领域的一个有力的竞争者，然而交叉点型RRAM高的漏电流问题亟待解决，选通管被认为是解决漏电流问题的有力的候选者。
[0003]现有技术中，铌氧化物(NbOx)的选通管具有开态电流高、开关速度快等优点，但NbOx的选通管存在漏电高以的问题，为了解决漏电高的问题，通常需要插入一层介电常数较高的氧化物插层的方法，但是此方法通常会增大形成电压，如此，亟需一种能够降低形成电压制造选通管的方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种选通管及其制造方法，能够有效降低形成电压，且有效降低了生产成本。
[0005]本专利技术实施例第一方面提供一种选通管，包括顶层电极、中间层和底层电极，其中，所述顶层电极、所述中间层和所述底层电极从上到下排序，所述中间层的材料为铌钽氧化物。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选通管，其特征在于，包括顶层电极、中间层和底层电极，其中，所述顶层电极、所述中间层和所述底层电极从上到下排序，所述中间层的材料为铌钽氧化物。2.如权利要求1所述的选通管，其特征在于，所述中间层的厚度为20nm至50nm。3.如权利要求2所述的选通管，其特征在于，所述中间层中的钽的溅射功率为10w至40W。4.如权利要求3所述的选通管，其特征在于，所述顶层电极的材料为铂，所述顶层电极的厚度为35nm至45nm。5.如权利要求4所述的选通管，其特征在于，所述底层电极的材料为氮化钛，所述底层电极的厚度为20nm至40nm。6.一种如权利要求1
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5任一项所述的选通管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上通过物理气相沉积方法进行电极沉积，形成底层电极；在所述底层电极上，通过磁控溅射技术对二氧化铌和钽靶材进行击打处理，得到由铌钽氧化物形成的中间层；通过所述磁控溅射技术在所述中间层上进行电极沉积，形成顶层电极。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗庆，丁亚欣，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：