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本发明公开了一种选通管，包括顶层电极、中间层和底层电极，其中，所述顶层电极、所述中间层和所述底层电极从上到下排序，所述中间层的材料为铌钽氧化物。本发明公开的一种选通管及其制造方法，能够有效降低形成电压，且有效降低了生产成本。降低了生产成本。...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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