一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法技术

本申请提供了一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法，所述垂直单分子集成忆阻器件包含电致异构分子；所述电致异构分子为单侧末端有炔基修饰的降冰片二烯衍生物分子。本申请的垂直单分子集成忆阻器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的电致异构分子在电场刺激下会发生异构转换，通过电场可稳定调节所述电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的忆阻功能；所述垂直单分子集成忆阻器件具有器件尺寸小、稳定性好、能够大规模集成的优势。势。势。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法


[0001]本申请涉及分子忆阻器件
，特别是涉及一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]忆阻器作为电阻、电容、电感之外的第四种电路基本元件，具有高速、低功耗、高集成度、兼具信息存储与计算功能等特点，被认为是最有潜力的未来逻辑运算器件。以忆阻器为基本元件构建的集成结构为从根基上颠覆传统冯
·
诺依曼计算架构和整个计算机体系奠定了器件基础。传统的忆阻器主要有磁效应忆阻器、相变效应忆阻器以及阻变效应忆阻器。
[0003]单分子忆阻器具有分子级别的尺寸，现如今单分子忆阻器取得了一定程度上的进展，但是集成应用的方法不完善，难以大规模应用，因此有必要开发一种具有可集成能力、在室温下能稳定工作的单分子忆阻器件，以解决器件大、集成难、稳定性差等问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法，以获得稳定性好、能够大规模集成的单分子集成忆阻器件。具体技术方案如下：
[0005]本申请第一方面提供了一种垂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直单分子集成忆阻器件，其包含电致异构分子；所述电致异构分子为单侧末端有炔基修饰的降冰片二烯衍生物分子，结构式如下：2.根据权利要求1所述的垂直单分子集成忆阻器件，其中，所述垂直单分子集成忆阻器件包含Si/SiO2模板条带、超平金属源端电极条带、Al2O3绝缘纳米孔阵列、自组装单分子膜和金属漏端电极条带；所述自组装单分子膜由所述电致异构分子构成。3.根据权利要求2所述的垂直单分子集成忆阻器件，其中，所述自组装单分子膜的厚度为1
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3nm。4.根据权利要求2所述的垂直单分子集成忆阻器件，其中，所述超平金属源端电极条带的金属材料选自Au、Ag或Pt；所述金属材料的厚度为10
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30nm。5.根据权利要求2所述的垂直单分子集成忆阻器件，其中，所述Al2O3绝缘纳米孔阵列的厚度为5
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20nm；所述Al2O3绝缘纳米孔阵列的纳米孔直径为1
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3nm。6.根据权利要求2所述的垂直单分子集成忆阻器件，其中，所述金属漏端电极条带的金属材料选自Au、Ag或Pt；所述金属材料的厚度为50
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100nm。7.根据权利要求2所述的垂直单分子集成忆阻器件，其中，所述垂直单分子集成忆阻器件还包含衬底；所述衬底选自硅片、云母、蓝宝石或柔性材料；所述柔性材料选自聚酰亚胺、聚乙烯醇或聚酯。8.根据权利要求2所述的垂直单分子集成忆阻器件，其中，所述Si/SiO2模板条带的宽度为10
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30nm，所述超平金属源端电极条带的宽度为10
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30nm。9.根据权利要求1
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8中任一项所述的垂直单分子集成忆阻器件的制备方法，其包括以下步骤：1)制备Si/SiO2模板条带；2)在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭雪峰，司伟，高春燕，汪博宇，常新月，贾传成，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：