用于DRAM的刷新管理列表制造技术

存储器控制器包括命令队列，该命令队列具有用于接收存储器访问请求的第一输入，以及存储器接口队列，该存储器接口队列具有用于耦接到存储器通道的输出，该存储器通道适于连接到至少一个动态随机存取存储器(DRAM)模块。刷新控制电路监测要通过该存储器通道发送的激活命令。响应于激活命令满足指定条件，该刷新控制电路识别与该激活命令相关联的候选攻击者行。将命令发送到该DRAM，请求将该候选攻击者行排队以用于在将来的刷新或刷新管理事件中的缓解。的缓解。的缓解。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于DRAM的刷新管理列表

技术介绍

[0001]计算机系统通常使用廉价和高密度的动态随机存取存储器(DRAM)芯片作为主存储器。当DRAM芯片中的特定行被激活以进行读取或写入时，与该行相关联的字线被激活，并且沿该行的存储器单元的内容被读取到页面缓冲器中。对该行中的存储器单元的后续读取和写入访问可完全在页面缓冲器内进行，而无需再次访问该行。当数据处理器稍后访问同一存储器存储体中的另一行时，沿该行的存储器单元在可激活另一行之前在预充电操作中复原。
[0002]现代DRAM芯片通常使用深亚微米技术存储多个兆位(Gb)的数据。由于高密度和小特征尺寸，存储器的行在物理上非常靠近其他行，以致于特定行的激活可能通过改变存储器单元电容器上的电荷来扰乱存储在相邻行中的数据。在过去，这些扰乱通常是无害的，因为会周期性地刷新存储器单元。然而，一些存储器访问模式偶尔会导致某些行在下一个刷新循环之前被激活和预充电很多次，以致于相邻行中的存储器单元损坏并反转逻辑状态。在损坏之后，原始数据丢失并且在后续刷新循环中不能复原。随着特征尺寸变得更小，此问题(称为“行锤击(row hammer)”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器控制器，包括：命令队列，所述命令队列具有用于接收存储器访问请求的第一输入；存储器接口队列，所述存储器接口队列具有用于耦接到存储器通道的输出，所述存储器通道适于耦接到动态随机存取存储器(DRAM)；仲裁器，所述仲裁器耦接到所述命令队列以用于从所述命令队列选择条目并将所述条目放置在所述存储器接口队列中，从而使所述条目通过所述存储器通道被传输；以及刷新控制电路，所述刷新控制电路耦接到所述仲裁器并且能够操作以：监测要通过所述存储器通道发送的激活命令；响应于激活命令满足指定条件，识别与所述激活命令相关联的候选攻击者行；以及向所述DRAM传输命令，请求将所述候选攻击者行排队以用于在将来的刷新或刷新管理事件中进行缓解。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述刷新控制电路通过标记包括所述候选攻击者行的行地址的激活命令来向所述DRAM传输所述命令。3.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述激活命令是激活列表命令，所述激活列表命令能够操作以使所述DRAM激活行并且将所述行记录为候选攻击者行。4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述刷新控制电路通过向所述DRAM传输包括所述候选攻击者行的行地址的刷新管理列表命令来向所述DRAM传输所述命令。5.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述刷新控制电路通过标记包括所述候选攻击者行的行地址的预充电命令来向所述DRAM传输所述命令。6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中所述预充电命令是预充电列表命令，所述预充电列表命令能够操作以使所述DRAM对行进行预充电并且将所述行记录为候选攻击者行。7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述刷新控制电路进一步能够操作以响应于识别到所述候选攻击者行而使所述候选攻击者行的记录存储在候选攻击者行的列表中。8.一种数据处理系统，包括：数据处理器；数据织构，所述数据织构耦接到所述数据处理器；以及存储器控制器，所述存储器控制器耦接到所述数据织构以用于履行来自所述数据处理器的存储器请求，所述存储器控制器包括：输出，所述输出用于耦接到存储器通道，所述存储器通道适于耦接到至少一个动态随机存取存储器(DRAM)；以及刷新控制电路，其中所述刷新控制电路能够操作以：监测要通过所述存储器通道发送的激活命令；响应于激活命令满足指定条件，识别与所述激活命令相关联的候选攻击者行；以及向所述DRAM传输命令，请求将所述候选攻击者行排队以用于在将来的刷新或刷新管理事件中进行缓解。9.根据权利要求8所述的数据处理系统，其中所述刷新控制电路通过标记包括所述候
选攻击者行的行地址的激活命令来向所述DRAM传输所述命令。10.根据权利要求9所述的数据处理系统，其中所述激活命令是激活列表命令，所述激活列表命令能够操作以使所述DRAM激活行并且将所述行记录为候选攻击者行。11.根据权利要求8所述的数据处理系统，其中所述刷新控制电路通过向所述DRAM传输包括所述候选攻击者行的行地址的刷新管理列表命令来向所述DRAM传输所述命令。12.根据权利要求8所述的数据处理系统，其中向所述DRAM传输所述命令包括标...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文，
申请(专利权)人：超威半导体公司，
类型：发明
国别省市：