本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以解决MTJ中自由层翻转需要的电流大以及MTJ翻转不对称的问题。该存储器包括设置于存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元，所述存储单元包括晶体管和与所述晶体管连接的磁隧道结MTJ元件；所述MTJ元件包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的MTJ，所述第二电极与所述晶体管的漏电极电连接；所述MTJ包括依次层叠设置的第一钉扎层、第一参考层、第一隧穿层和自由层；其中，所述第一钉扎层为具有磁各向异性的亚铁磁或反铁磁材料，且所述第一钉扎层在所述自由层所在的空间产生的静磁场小于所述自由层的矫顽磁场。所述自由层的矫顽磁场。所述自由层的矫顽磁场。所述自由层的矫顽磁场。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦青，周雪，刘熹，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。